美國最新一輪半導(dǎo)體出口管制要點(diǎn)和細(xì)節(jié)

來源：網(wǎng)絡(luò)

事實(shí)上，在此之前，美國ZF曾多次出臺芯片領(lǐng)域相關(guān)禁令與法案，包括《芯片與科學(xué)法案》以及限制相關(guān)公司向中國出口高性能GPU等。不過，此次出口管制限制范圍更為廣泛，影響或許也將更大。

公開資料顯示，相關(guān)規(guī)則如下：

1.將某些先進(jìn)和高性能計算芯片及含有此類芯片的計算機(jī)商品加入《商業(yè)管制清單》（CCL）；

2.對中國超級計算機(jī)或半導(dǎo)體開發(fā)或生產(chǎn)最終用途的項(xiàng)目增加新的許可證要求；

3.將《出口管理?xiàng)l例》(EAR)的適用范圍擴(kuò)大到某些外國生產(chǎn)的先進(jìn)計算機(jī)產(chǎn)品和外國生產(chǎn)的超級計算機(jī)終端用途產(chǎn)品；

4.將需要許可證的美國以外國家的生產(chǎn)項(xiàng)目的范圍，擴(kuò)大到位于中國境內(nèi)的28家現(xiàn)有實(shí)體；

5.將某些半導(dǎo)體制造設(shè)備和相關(guān)項(xiàng)目添加到CCL；

6.對在中國制造的符合規(guī)定的半導(dǎo)體制造工廠的設(shè)備增加新的許可證要求。中國公司擁有的設(shè)施許可證將面臨“推定拒絕”，公司擁有的設(shè)施將根據(jù)具體情況做出決定，具體涉及范疇：具有16nm或14nm以下制程的非平面晶體管結(jié)構(gòu)（FinFET或GAAFET）的邏輯芯片；半間距不超過18nm的DRAM存儲芯片；128層或更多層的NAND閃存芯片；

7.限制美國實(shí)體在沒有許可證的情況下，支持中國境內(nèi)某些半導(dǎo)體工廠制造、開發(fā)或進(jìn)行生產(chǎn)；

8.對開發(fā)或生產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備及相關(guān)項(xiàng)目的出口項(xiàng)目增加新的許可證要求；

9.建立臨時通用許可證(TGL)，通過允許特定的、有限的生產(chǎn)活動，將對半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的短期影響降至最低。

據(jù)悉，上述半導(dǎo)體制造項(xiàng)目限制自10月7日起生效，美國人在支持基于中國本土半導(dǎo)體制造“設(shè)施”開發(fā)、生產(chǎn)或應(yīng)用集成電路的能力方面的限制將在10月12日生效，先進(jìn)計算和超級計算機(jī)控制以及規(guī)則中的其他更新將在10月21日生效。

更新的出口管制將從多個方面針對中國企業(yè)，包括限制美國企業(yè)向中國出口關(guān)鍵芯片制造工具，以及限制美國公民和企業(yè)向中國的半導(dǎo)體制造廠提供任何形式的直接或間接支持。