存儲半導(dǎo)體“入冬”，韓企押注DDR5賽道

存儲半導(dǎo)體廠商正式入冬

近期，三星電子、SK海力士、美光、西部數(shù)據(jù)等存儲大廠最新財報釋放出存儲芯片在秋冬季節(jié)的［寒意］。

由于消費電子市場持續(xù)萎靡，以存儲芯片為代表的半導(dǎo)體需求不斷下滑；

多家大廠在財報中發(fā)出預(yù)警并做出減產(chǎn)、縮減資本支出的應(yīng)對策略。

由于市場需求放緩，供需失衡之下，庫存持續(xù)上升，美光率先宣布下修2023財年資本支出。

美光預(yù)計2030財年資本支出為80億美元，同比下滑33％。

與此同時，美光還計劃將WFE晶圓設(shè)備資本支出同比下降約50％。

三星電子最新發(fā)布的財報顯示，第三季度，營收達(dá)76萬億韓元，同比增長2．7％；利潤達(dá)10．8萬億韓元，同比大跌31．7％。

SK海力士發(fā)布的業(yè)績報告則更為慘淡，受全球內(nèi)存芯片市場下行的影響，SK海力士第三季度營業(yè)利潤為1．6556萬億韓元，同比劇減60．3％，低于市場預(yù)期。

最近一月以來，存儲芯片價格一路向下持續(xù)低迷，導(dǎo)致大多數(shù)終端存儲器產(chǎn)品價格跌幅較大。

勒緊褲腰帶布局DDR5

作為全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)三巨頭，三星、SK海力士、美光科技的初步業(yè)績預(yù)告，加劇了一系列圍繞存儲芯片業(yè)的盈利下調(diào)和悲觀預(yù)測。

去年，缺芯漲價廠商抬價囤貨，以期牟利。

然而，今年全球的PC，智能手機(jī)等消費類電子產(chǎn)品需求疲軟，致使下游客戶以傾售庫存為主，訂單減少使制造端存儲芯片產(chǎn)能過剩，進(jìn)而連鎖價格下跌。

隨著消費者勒緊褲腰帶，PC、智能手機(jī)等消費電子陷入需求疲軟，致使這些下游客戶開始大規(guī)模清庫存和削減訂單，進(jìn)而引發(fā)存儲芯片產(chǎn)能過剩、價格下跌的連鎖反應(yīng)。

目前消費電子疲軟還在繼續(xù)，據(jù)Trend Force集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，第四季度DRAM價格跌幅將擴(kuò)大至13—18％。

從積極方面考量，價格的親民化或?qū)⒓铀貲DR5的入世，DDR5有望加速成為行業(yè)主流。

雖然已經(jīng)在加速DDR5內(nèi)存芯片產(chǎn)能爬坡，然而2022年P(guān)C需求低于預(yù)期。

服務(wù)器是DDR5內(nèi)存最先突破的領(lǐng)域之一，通常來說服務(wù)器市場的占有率都要延期一年才能普及DDR5內(nèi)存。

而PC市場更加艱難，畢竟個人消費者在需求下滑時購買會更加的慎重。

到目前為止，DDR4在約10年的時間里一直是DRAM的主力產(chǎn)品。

不過，業(yè)界預(yù)測今年將是DDR5的預(yù)熱年，而從明年開始，DDR5滲透率將大幅提升。

2021年底DDR5內(nèi)存的市場份額僅有1．1％，2022年突破10％，2023年達(dá)到28．8％，2024年也不過43．3％。

DDR5有了更進(jìn)一步的性能優(yōu)勢

①內(nèi)存頻率翻倍：在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)下DDR5內(nèi)存的引腳帶寬（頻率）是DDR4的兩倍，內(nèi)存頻率起步就是DDR4標(biāo)準(zhǔn)極限的3200MHz，最高可以達(dá)到6400MHz。

②內(nèi)存密度的提升：DDR5單芯片達(dá)到64Gbit密度，比起DDR4單16Gbit密度高出4倍，并且支持40個單元單堆疊，有效內(nèi)存容量達(dá)到2TB。

③滿足新技術(shù)需求：DDR5內(nèi)存的推出將充分滿足未來人工智能、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)帶來的存儲和數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟆?/span>

三大廠商已宣布量產(chǎn)DDR5產(chǎn)品

①三星：此前，英特爾和微星正式公布爾全新AlderLake12代酷睿和Z690主板支持搭載DDR5內(nèi)存。

在2021年的HotChips33大會上，三星公布了行業(yè)首款的單條512GBDDR5內(nèi)存條。

其頻率為7200MHz，采用了標(biāo)準(zhǔn)的JEDECDDR5－7200時序，這款DDR5內(nèi)存較之上一代DDR4內(nèi)存提升了85％左右的性能。

目前三星正在與AMD共同研發(fā)單條容量達(dá)512GB、甚至1TB的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。

三星的10nm級工藝和EUV技術(shù)使得芯片從16Gb躍升至32Gb，芯片容量的翻倍意味著可提供高達(dá)512GB的容量。

不過預(yù)計三星DDR5對DDR4芯片的替代可能要在2023年下半年才實現(xiàn)。

另外計劃將其14納米DRAM芯片密度提升至24Gb，以更好滿足快速增長的數(shù)據(jù)需求。

②SK海力士：全球第一個正式發(fā)布DDR5的廠商。在DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后的三個月，海力士推出了其DDR5產(chǎn)品。

該DDR5內(nèi)存條為面向服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的RDIMM形態(tài)，基于1Ynm工藝制造的16Gb顆粒，單條容量64GB，而借助TSV硅穿孔技術(shù)，最高可以達(dá)到256GB。

SK海力士在今年2季度財報中證實，該公司將于未來幾個月內(nèi)開始量產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒。

并且還計劃從明年初開始將1α納米級工藝導(dǎo)入于去年十月推出的全球首款DDR5DRAM。

今年10月25日表示，該公司在業(yè)界首次開發(fā)DDR5 6400Mbps速度的32GB電腦用無緩沖雙列直插內(nèi)存模塊（UDIMM）和超小型雙列直插式內(nèi)存模塊（SODIMM），并已向客戶提供樣品。

③美光：2020年7月，為加速DDR5普及，美光宣布啟動技術(shù)賦能計劃，加入該賦能計劃的公司包括楷登電子、瀾起科技、瑞薩電子和新思科技等。

今年7月初美光宣布DDR5已經(jīng)可支持英特爾與AMD下一代服務(wù)器以及工作站平臺，美光旗下支持DDR5的服務(wù)器正在數(shù)據(jù)中心環(huán)境中進(jìn)行評估和測試，預(yù)計將在2022年底前加速采用。

同時，新型服務(wù)器DDR5內(nèi)存最大限度地提高了AI、HPC和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的性能。

這些應(yīng)用程序需要比DDR4技術(shù)能支持更多CPU計算容量和更高的內(nèi)存帶寬。

今年10月，美光宣布推出Crucial英睿達(dá)DDR5臺式電腦（PC）內(nèi)存產(chǎn)品，全新的DDR5內(nèi)存已經(jīng)在線上線下渠道開售。

結(jié)尾：

去年還在因芯片供應(yīng)短缺而賺得體滿缽滿、忙著擴(kuò)產(chǎn)漲價的芯片企業(yè)們，此刻不得不開始為已然擴(kuò)散的寒潮做打算。

但無論是回顧歷史，還是看向長遠(yuǎn)的未來需求，周期總要循環(huán)，風(fēng)暴終將過去，此起彼伏的市場危機(jī)與機(jī)遇會篩出能穿越周期長期跑贏的企業(yè)，也催生更多的技術(shù)創(chuàng)新。