中國的光刻機再獲突破，ASML懵了

華為近日公布了一項名為“反射鏡、光刻裝置及控制方法”的EUV光刻機專利，華為突然介入光刻機行業(yè)，以華為以往向來不打無準(zhǔn)備之仗的慣例，這意味著華為在光刻機方面已取得了重大突破，對中國的光刻機產(chǎn)業(yè)無疑是重大的助力。

業(yè)界都清楚光刻機是一項技術(shù)密集度極高的產(chǎn)品，而EUV光刻機更是科技的皇冠，ASML的EUV光刻機就需要10萬多個零部件，需要全球5000多家供應(yīng)商供應(yīng)，這些供應(yīng)商分別在美國、德國、日本等地，可以說沒有任何一家企業(yè)可以獨立完成EUV光刻機的制造。

正是由于EUV光刻機的技術(shù)難度，目前全球僅有ASML一家能生產(chǎn)出EUV光刻機，ASML也依靠獨有的EUV光刻機獲取了豐厚的利潤，而ASML深受美國的影響，在美國的影響下導(dǎo)致ASML無法自由出貨EUV光刻機，甚至成為中國芯片制造的最大障礙。

近幾年來中國極力發(fā)展芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈，經(jīng)過近十年來的努力，中國在芯片制造的八大環(huán)節(jié)都已達(dá)到14nm，刻蝕機更已達(dá)到5nm，而芯片封測技術(shù)已達(dá)到3nm，僅有光刻機還停留在28nm以上。

面對如此窘境，中國的芯片產(chǎn)業(yè)鏈急需一個強力的企業(yè)推動光刻機打破這個最后的瓶頸，而華為研發(fā)EUV光刻機技術(shù)，無疑為中國的光刻機打開了一個窗口，意味著中國在光刻機技術(shù)上開創(chuàng)了新局面。

華為研發(fā)的“反射鏡、光刻裝置及控制方法”的EUV光刻機專利，其實就是光刻機的核心技術(shù)之一，從90nm工藝以來，DUV光刻機所采用的光源都是193nm的光源，而EUV光源則是13．5nm，通過在水等介質(zhì)的多次折射得到相應(yīng)波長的光線，從而實現(xiàn)了以193nm光源生產(chǎn)65nm至7nm工藝、13．5nm光線實現(xiàn)7nm至2nm的工藝，華為的研發(fā)的光刻機技術(shù)應(yīng)該就是為了解決這個核心技術(shù)問題。

華為親自下場研發(fā)光刻機，在于它已深刻認(rèn)識到等待美國“解禁”EUV光刻機遙遙無期，畢竟如今美國連14nm以下的DUV光刻機都不讓ASML出售給中國，如此華為親自下場研發(fā)EUV光刻機技術(shù)，可以加速中國的光刻機技術(shù)的進(jìn)展。

華為此前的技術(shù)研發(fā)也證明了它一旦公開了相關(guān)的專利，就意味著它在技術(shù)研發(fā)上已取得了突破，畢竟它擁有近20萬的技術(shù)研發(fā)人員，每年投入的技術(shù)研發(fā)資金高達(dá)千億，即使是當(dāng)下它的業(yè)務(wù)面臨窘境，仍然堅持千億研發(fā)投入，所以它取得光刻機技術(shù)突破應(yīng)該可信的。

國產(chǎn)的光刻機已形成了一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈條，成為全球唯一擁有光刻機全產(chǎn)業(yè)鏈的經(jīng)濟(jì)體，雙工作臺、光學(xué)系統(tǒng)、物鏡系統(tǒng)、光源系統(tǒng)方面都已有相關(guān)企業(yè)研發(fā)成功，如今華為在光線折射技術(shù)方面的突破，無疑將補上最后的短板，如此國產(chǎn)EUV光刻機成為現(xiàn)實的日子進(jìn)一步靠近。

國產(chǎn)光刻機的技術(shù)突破對ASML無疑是巨大的威脅，或許正是感受到中國在光刻機技術(shù)方面的突破，ASML表示它是一家歐洲企業(yè)擁有自由出貨的距離，同時大舉擴(kuò)張它在中國的員工數(shù)量，近期又計劃在未來數(shù)年大幅擴(kuò)張DUV光刻機、EUV光刻機的產(chǎn)能，業(yè)界人士普遍認(rèn)為這是ASML為了向中國出售光刻機做準(zhǔn)備。

以往在諸多技術(shù)行業(yè)都證明了只要中國取得技術(shù)突破，海外企業(yè)就會迅速大舉供貨并降低價格，如今ASML面對中國在光刻機方面的突破，或許它對中國出售EUV光刻機的腳步也快了。