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              突破EUV的替代方案:納米壓印

              2022-12-12 來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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              關(guān)鍵詞: 光刻機 佳能 臺積電 集成電路

              佳能擴建光刻機工廠


              日前,佳能宣布投資500億日元,約合25.6億人民幣,新建一座光刻機廠。佳能旗下有兩座光刻機工廠,主要生產(chǎn)用于制造汽車控制芯片的光刻機。


              2021年,全球共出售478臺光刻機,其中龍頭阿斯麥賣出了309臺,佳能賣出了140臺,排名第二。


              這次建廠,是佳能21年來第一次擴建光刻機工廠。新工廠預(yù)計2025年投產(chǎn)。到時,佳能的產(chǎn)能會提高到現(xiàn)在的兩倍,也就是年產(chǎn)280臺光刻機。



              擴建光刻機工廠?當(dāng)下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨產(chǎn)能過剩,就連長期供不應(yīng)求的臺積電,也準(zhǔn)備關(guān)閉4臺光刻機,給部分員工放假。其他廠商情況也類似,為什么佳能還要增加光刻機的產(chǎn)能?


              佳能瞄準(zhǔn)中國這個大市場


              近些年,半導(dǎo)體行業(yè)有一個顯著的變化,就是從一個全球分工的產(chǎn)業(yè),變成區(qū)域自主產(chǎn)業(yè)。全球總產(chǎn)能過剩,但中國、歐洲、美國都在發(fā)展自己的半導(dǎo)體產(chǎn)線。


              尤其是中國,芯片企業(yè)的數(shù)量持續(xù)大漲,對光刻機的需求只增不減。佳能的光刻機主要用于生產(chǎn)14納米以上的成熟制程芯片,正好符合中國市場的需求。


              當(dāng)然,佳能不單單是為了拿下中國市場。它還有一個更宏大的目標(biāo),就是開拓下一代光刻技術(shù),實現(xiàn)對阿斯麥的“彎道超車”。



              因為,最先進的EUV極紫外光刻機,只有阿斯麥一家能提供。


              2022年9月,阿斯麥還推出了EUV光刻機的進階版本(High-NA),把原來的0.33光圈鏡頭變成分辨率更高的0.55光圈,進一步提高了生產(chǎn)精度,臺積電打算用它來生產(chǎn)2納米的芯片。在阿斯麥的規(guī)劃中,它過幾年還要推出支持1納米的光刻機。


              但業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,阿斯麥的這個構(gòu)想恐怕難以實現(xiàn)。阿斯麥的技術(shù)高管也表示,今年推出的這一代,很可能就是EUV技術(shù)的終點。


              一方面,光刻機已經(jīng)在制程精度上逼近極限,技術(shù)突破越來越難。


              另一方面,商業(yè)落地也是個大問題,這版新光刻機一臺造價就高達4億美元,到了下一代,只會更高。


              三種替代方案


              方案一:電子束光刻技術(shù)。


              光刻機的突破,主要在于使用波長更短的光源。阿斯麥花了20年,才從193納米的深紫外光,突破到13.5納米的極紫外光。


              而電子束光刻技術(shù),拋開了光源的限制,用高能電子束來替代光。電子對應(yīng)的波長只有0.04納米,加工精度就比EUV又高了不少。


              不過,電子束光刻的限制在于速度慢。EUV光刻機能一次性把圖案鋪滿整個硅片,一小時能生產(chǎn)200片。


              而電子束光刻,只能一點一點地寫入圖案,用在量產(chǎn)上就太慢了。目前它主要用在量子計算芯片、超表面芯片這樣的高精度小批量芯片中。


              方案二:自組裝光刻技術(shù)。


              芯片雖然精細(xì),但有很多結(jié)構(gòu)是周期性重復(fù)的。研究者認(rèn)為,與其精細(xì)地刻蝕這些重復(fù)的圖案,不如想辦法讓材料自己形成需要的圖案。


              這就是自組裝技術(shù),誘導(dǎo)光刻材料在硅片上自發(fā)組成我們需要的結(jié)構(gòu)。


              比如,找到兩種化學(xué)性質(zhì)不同的聚合物鏈條,把它們組合在一起,鏈條上相似的化合物會粘在一起,互斥的化合物會彼此遠離。讓大量鏈條聚集在一起,它們經(jīng)過移動就會形成特定的形狀。


              這種方式比傳統(tǒng)光刻分辨率更高,加工速度也不受影響,但它對材料控制的要求特別高,還處在實驗室階段。


              比利時微電子中心、麻省理工學(xué)院等機構(gòu)都建立了自組裝產(chǎn)線,研究它的具體工藝。



              方案三:納米壓印光刻技術(shù)。


              1995年,華裔科學(xué)家周郁最早提出這個概念。它的工藝是,先在模具上刻上納米電路的圖案,再把這個圖案像蓋章一樣壓在硅片的感光材料上,同時用紫外線照射,就能完成轉(zhuǎn)印。這種機械復(fù)制的方法,不受光學(xué)衍射的影響,理論上可以達到2納米的分辨率。


              和EUV比,納米壓印的成本優(yōu)勢很突出,整套設(shè)備的價格不到EUV光刻機的一半。而且,EUV光刻機一年要用掉一千萬度電,而納米壓印設(shè)備只需要十分之一。


              佳能押注的下一代光刻技術(shù),正是納米壓印。這也被認(rèn)為是最有可能替代EUV的技術(shù)。


              佳能目前量產(chǎn)的納米壓印設(shè)備,能用于生產(chǎn)15納米的芯片,預(yù)計到2025年,能進一步研發(fā)出生產(chǎn)5納米芯片的設(shè)備。


              在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前線,各大芯片廠商忙著在芯片制程上向摩爾定律的極限逼近,在后方的光刻技術(shù)上,人們也在想盡辦法從光源的限制中突圍。