用14/28nm工藝做出7nm芯片的性能，是中國芯接下來要努力的方向

美國對中國的芯片制裁，近日又傳出了新消息，那就是美國已經(jīng)聯(lián)合上了荷蘭和日本，就限制向中國出口先進(jìn)芯片制造設(shè)備達(dá)成協(xié)議。

中間會(huì)涉及到ASML、尼康、東京電子等企業(yè)的設(shè)備產(chǎn)品，主要是光刻機(jī)、半導(dǎo)體材料等等，特別是14nm及以下的設(shè)備、材料不準(zhǔn)賣給中國廠商。

事實(shí)上，大家都清楚，美國的目標(biāo)很直白，就是要鎖死我們的芯片工藝在14/16nm，不讓我們進(jìn)入16/14nm以下先進(jìn)邏輯制程，聯(lián)合荷蘭、日本的目的也是希望這個(gè)目標(biāo)能順利實(shí)現(xiàn)。

這樣中國的芯片能力，就只能停留在成熟（落后）階段，這樣中國就得一直依賴美國的芯片，除了花巨資進(jìn)口外，還要被美國卡脖子。

那么如何在當(dāng)前這種困難局勢下，進(jìn)行突破？方向很簡單，那就是國產(chǎn)供應(yīng)鏈進(jìn)行突破，比如實(shí)現(xiàn)EUV光刻機(jī)，實(shí)現(xiàn)其它半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料的量產(chǎn)，達(dá)到更先進(jìn)的工藝，比如7nm、5nm等，這樣封鎖就不攻自破了。

但大家都清楚，這種突破不是短時(shí)間之內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)的，得集3年、5年、甚至10年之功才行，所以期待國產(chǎn)供應(yīng)鏈短時(shí)間內(nèi)替代，是不可能做到的。

那么接下來，中國芯的方向，則是利用現(xiàn)在已經(jīng)擁有的14nm/28nm工藝，來實(shí)現(xiàn)7nm的性能， 甚至達(dá)到5nm、3nm這樣的性能。

估計(jì)會(huì)有網(wǎng)友認(rèn)為，這怎么可能？如果28nm/14nm能實(shí)現(xiàn)7nm的芯片，那還要7nm工藝做什么？

先別急著下結(jié)論，用28nm/14nm工藝，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有的7nm芯片的水平，并不是天方夜談，有幾種方式的。

比如用新的材料，比如碳化硅，碳基等之前已經(jīng)有科學(xué)家驗(yàn)證過，如果用碳基芯片，40nm就能達(dá)到7nm的性能水平。

另外是在芯片的工藝、架構(gòu)上下功夫，進(jìn)行創(chuàng)新，此外還可以用小芯片（Chiplet）的技術(shù)，進(jìn)行芯片堆疊等。

還可以從芯片的功耗、尺寸等方面出發(fā)，盡可能的壓榨出當(dāng)前我們掌握的14nm/28nm工藝的極限，就像intel打磨14nm工藝就好幾年，還讓intel的14nm芯片，也不輸給AMD的7nm芯片，這是一樣的道理。

當(dāng)然，要實(shí)現(xiàn)這個(gè)不容易，但也不是沒有可能的，你覺得呢？畢竟現(xiàn)在沒有更好的路可走，我們只能基于現(xiàn)有的已經(jīng)掌握的技術(shù)，來實(shí)現(xiàn)更大的可能性。