除了光刻機，中國芯還有很多難題，需要一一解決

眾所周知，近日ASML更新了出口說明，表示荷蘭政府對DUV光刻機的出口也進行了限制，ASML理解為TWINSCAN NXT：2000i及之后的浸沒式光刻機，已經不能出口到中國了。

這意味著，ASML目前在售的三款浸潤式光刻機中，只有TWINSCAN NXT：1980i一款能夠賣到中國來。

這則消息一出來，很多網友表示，國產光刻機必須加油了，如果后續禁令再收緊，連這一臺浸潤式光刻機都不能出口的話，問題就大了，中國芯就真的麻煩了。

事實上，芯片產業太龐大了，產業鏈非常復雜，各種設備、技術、材料又非常多，除了光刻機，中國芯還有很多難題，這些難題一直卡著我們的脖子，要想真正打造全國產供應鏈，還要達到先進水平，這些難題必須一一解決才行。

首先是被譽為“芯片之母”的EDA領域，國產方面仍然受制于人。

近日概倫電子表示已經實現了對7/5/3nm工藝的支持，而之前華大九天也表示支持3nm了，這讓網友們興奮不已。但其實EDA的流程太多了，已經是集芯片設計、綜合驗證、物理設計、仿真、測試等等環節于一體了。

目前不管是華大九天，還是概倫只在部分環節或流程中實現了3nm，甚至很多流程，國內就沒有相關的EDA產品，必須依賴國外。

從2021年的數據來看，三大EDA公司新思科技（Synopsys）、楷登電子（Cadence）、和西門子EDA，壟斷了國內90%左右的市場。

目前芯片太復雜了，離不開EDA，所以EDA其實是卡脖子的技術之一，我們必須要突破，否則不排除后續針對EDA的禁令也會加碼和擴大。

其次是半導體設備這一塊，不只是光刻機，還有眾多的設備，也是國內的短板。

半導體設備大致可以分為11大類，50多種機型，其核心有光刻機、刻蝕機、薄膜沉積機、離子注入機、CMP設備、清洗機、前道檢測設備和氧化退火設備八大類。

目前在光刻機、自動測試設備、刻蝕機、離子注入機等核心設備上，我們的工藝相對落后，光刻機90nm，其它產品有些在65nm、有些在40nm……

這些核心設備長期由海外龍頭壟斷，國內的份額大多低于5%，并且這5%，基本上是非常低檔的產品，無法對國外先進設備進行替代，這也是后續需要攻克的難題。

最后說說半導體材料這一塊，芯片制造需要各種各樣的材料，涉及到幾十種。

其中比較關鍵的，大家都熟悉的有光刻膠、拋光液、靶材、特種氣體等，在后端封裝階段需要各種基板、中介層、引線框架、粘接材料等。

光刻膠大家都清楚，國內還處于65nm的水平，很多的靶材、特種氣體，其實國內就沒有，要從國外進口，從2021年的數據來看，國內半導體材料國產化率僅約10%左右。

而日本壟斷了全球近70%的半導體材料，而日本也是聽美國的，這個風險大家都懂的。

可見，中國芯要崛起，差的不只是光刻機，大家也不必只盯著光刻機，要補的課實在太多了，而這些課后背，其實是基礎不扎實，比如物理學、化學、材料學、力學、數學等等。

好在目前眾多的企業，已經深刻的認識到這一點，比如任正非就表示造芯片不能只砸錢，要砸物理學家，數字學，化學家等。

當然，最后值得說一說的是，盡管中國芯目前面臨眾多的困難，但從EDA到設備到材料的國產化比例也一直在提升，前進的腳步一直不停。