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              總投資420億元,東莞天域半導(dǎo)體、光大半導(dǎo)體等60個重大項目動工

              2023-03-21 來源:互聯(lián)網(wǎng)
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              關(guān)鍵詞: 東莞天域半導(dǎo)體 光大半導(dǎo)體

              近日,東莞市2023年首批重大項目動工儀式在東莞松山湖舉行。全市首批共有60個重大項目于今年第一季度陸續(xù)動工建設(shè),其中包括廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目、廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心1區(qū)(松山湖)項目。

              廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目



              由廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司投資80億元,總用地面積約114.65畝,建筑面積約24萬平方米,將建設(shè)年產(chǎn)能120萬片的碳化硅外延晶片大型生產(chǎn)基地,用于生產(chǎn)6英寸/8英寸碳化硅外延晶片,預(yù)計2023年內(nèi)完成第一期17萬片年產(chǎn)能的建設(shè)。

              廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心1區(qū)(松山湖)項目



              項目由東莞市中晶松湖半導(dǎo)體科技有限公司、東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司投資44億元,占地面積約202畝,建筑面積約19萬平方米,建成后主要生產(chǎn)制造2-4英寸氮化鎵襯底、2-6英寸GaNonGaN/Si器件、4英寸MiniLED外延芯片。