SK海力士發布300層堆疊NAND Flash

3月20日消息，在日前的第 70 屆 IEEE 國際固態電路會議 (ISSCC) 期間，韓國存儲芯片大廠 SK 海力士（SK Hynix）展示了最新300 層堆疊第 8 代3D NAND Flash的原型，令與會者大吃一驚。

SK海力士在會議在發表會的標題訂為 “高密度存儲和高速接口”，其中描述了該公司將如何提高固態硬盤的性能，同時降低單個 TB 的成本。

據介紹，SK海力士第 8 代 3D NAND 堆疊超過 300 層，容量為 1Tb（128GB），具有 20Gb/mm2 單位容量、16KB 單頁容量（page size）、擁有四個 planes，接口傳輸速率為2400 MT/s。最大數據傳輸速率將達到 194 MB/s，相較上一代 238 層堆疊和 164 MB/s 傳輸速率的第七代 3D NAND Flash高出 18%。而在更快的輸入和輸出速度下，有助于 PCIe 5.0 x4 或更高的接口利用率。

新 NAND 的位密度增加近一倍，意味著將顯著提高新制造節點的每晶圓生產率，也將降低 SK 海力士的成本，只是尚不清楚具體程度。

據 SK 海力士研發團隊的說法，第 8 代 3D NAND Flash 采用了 5 項嶄新的技術。

首先，其擁有三重驗證程序(TPGM) 功能可縮小單元閾值電壓分布，并將 tPROG （編程時間） 減少 10%，從而轉化為更高的性能。

其次，采用 Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) 技術，再將 tPROG 降低約 2% 。

第三，APR方案可將讀取時間降低約 2%，并縮短字線上升時間。

第四，編程虛擬串 (PDS) 技術可藉由降低通道電容負載來縮短 tPROG 和 tR 的界線穩定時間。

最后，平面級讀取重試 (PLRR) 功能，允許在不終止其他平面的情況下，更改平面的讀取級別。之后，立即發出后續讀取命令，并提高服務質量 (QoS)，從而提高讀取性能。

由于 SK 海力士針對新產品還在開發中，因此該公司尚未透露生產最新一代 3D NAND Flash 的量產時間。盡管如此，分析師預計該300層3D NAND Flash將于 2024 年年底或者 2025 年年初上市發售。