三星減產(chǎn)DRAM關(guān)鍵原因：研發(fā)松懈，降成本速度減慢？

4月14日，據(jù)韓國媒體The Elec報導(dǎo)，消息顯示，三星導(dǎo)入更先進(jìn)制程以降低DRAM成本的速度進(jìn)一步趨緩，這或許也是三星不得不跟進(jìn)美光、SK 海力士減產(chǎn)的一個原因。因為，如果能快速引入先進(jìn)制程，那么降低成本的速度就能快一些，三星或許就不必減產(chǎn)，還可趁著產(chǎn)業(yè)景氣衰退之際擴(kuò)大市占率。

據(jù)報導(dǎo)，三星搶在對手之前采用極紫外光（EUV）光刻設(shè)備，可能也是重創(chuàng)利潤的原因。EUV制程昂貴，目前還無法發(fā)揮最大潛能。不過，三星提早采用EUV，未來提升生產(chǎn)力的速率也會比對手快。

對于10nm范圍的DRAM，存儲廠商一般不會披露精確的制程節(jié)點，而是稱之為1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）納米。其中，1z大約介于13~11納米。業(yè)者也于最近發(fā)表第四代的1a納米。

根據(jù)集邦科技統(tǒng)計，2022年第四季美光的1a納米DRAM市占率為45.9%、SK海力士為20.8%、三星為5.7%。同期間內(nèi)，1z納米DRAM市占排名則依序為三星（46.1%）、SK海力士（32.3%）、美光（29.9%）。美光制造的1a納米 DRAM比競爭對手多，主要是因為該公司并未采用EUV，而是使用多重圖案化（multiple patterning；MP）技術(shù)。美光預(yù)定2024年才會在1c納米使用EUV。

The Elec引述消息人士指出，三星過去都能搶在對手前克服挑戰(zhàn)、維持領(lǐng)導(dǎo)地位，如今卻頻頻提及EUV和摩爾定律已死，這些其實都是“借口”。部分內(nèi)部人甚至說，過去五年三星在研發(fā)新技術(shù)方面有點懈怠；該公司剛開始制造雙棧（double-stack）NAND Flash（V7）時也遇到困難。

三星電子4月7日發(fā)表2023年第一季初步財報時曾宣布削減存儲芯片產(chǎn)量，理由是全球需求低迷，客戶因庫存充足而放慢采購。

SK海力士副董事長Park Jung-ho 3月29日在股東大會上宣布下砍營業(yè)支出計畫，為十年以來頭一遭。他說，該公司過去曾積極投資擴(kuò)產(chǎn)，但現(xiàn)在準(zhǔn)備以更具彈性的方式調(diào)整產(chǎn)能策略。他表示，“我們?nèi)ツ甑馁Y本支出多達(dá)19兆韓元（相當(dāng)于146億美元），今年準(zhǔn)備刪減一半以上”。

Park以囚徒困境（prisoner‘s dilemma，指個人的選擇不符團(tuán)體最佳利益）來形容DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)衰退的現(xiàn)象。他說，“即便我們一再重申不跟進(jìn)，客戶參與賽局的方式依舊猶如囚徒困境。每當(dāng)產(chǎn)業(yè)景氣下滑，過剩的芯片供給終將導(dǎo)致價格跌勢惡化。”