三星電子4納米工藝良率接近臺積電

據BusinessKorea報道，推特爆料人Revegnus 4月17日表示，三星的4納米制程良率目前已非常接近臺積電。

Revegnus表示，三星的良率恢復速度快于預期，而臺積電的3納米制程良率目前為63%或更低。

三星有望在其4納米工藝中取得可觀的良率提升，據許多業內消息人士透露，三星很可能已將其4納米工藝的良率從大約60%提高到至少70%，而臺積電的良率估計在80%左右。

在3月上旬，有消息稱高通將發布的驍龍7+ （Snapdragon 7+ Gen 1）處理器將采用臺積電的4納米制程，這證明臺積電比三星的4納米制程更高效。三星在過去幾年面臨著效率和良率不好的問題，高通或許正慢慢地將訂單從三星代工廠轉移到臺積電。

高通曾表示，未來3、4納米AP芯片將由臺積電代工，不過進入GAA制程后，有可能采取同步下單三星、臺積電等多家代工廠的多供應商策略。

此外有報道稱盡管三星在4納米和5納米存在問題，但據報道其3納米 GAA要好得多。甚至有傳言稱它比臺積電的3納米更好，一些謠言還聲稱Snapdragon 8 Gen 3將使用三星的3納米 GAA，但媒體也稱，應該對這種說法持懷疑態度。