分析師：設(shè)備和產(chǎn)量問(wèn)題阻礙臺(tái)積電3nm量產(chǎn)

據(jù)《EE Times》報(bào)道，分析師稱(chēng)，臺(tái)積電的設(shè)備和產(chǎn)量問(wèn)題阻礙了3nm技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

臺(tái)積電、三星和英特爾的目標(biāo)是成為先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)先者，Susquehanna International Group高級(jí)股票研究分析師Mehdi Hosseini在一份報(bào)告中指出，“在我們看來(lái)，臺(tái)積電仍然是領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)的首選代工廠，因?yàn)槿谴S尚未展示穩(wěn)定的領(lǐng)先工藝技術(shù)，而IFS（英特爾代工廠服務(wù)）距離提供有競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案還需要數(shù)年時(shí)間。”

對(duì)于臺(tái)積電和蘋(píng)果在3nm芯片上的合作，Hosseini表示，至少在3nm產(chǎn)量攀升至70%左右的前三到四個(gè)季度，蘋(píng)果將向臺(tái)積電支付已知的優(yōu)質(zhì)芯片價(jià)格，而不是標(biāo)準(zhǔn)晶圓價(jià)格。臺(tái)積電將在2024年上半年與蘋(píng)果就3nm采用正常的晶圓定價(jià)，平均售價(jià)約為1.6萬(wàn)至1.7萬(wàn)美元。目前，我們認(rèn)為臺(tái)積電A17和M3處理器的3nm產(chǎn)率約為55%。

Hosseini認(rèn)為臺(tái)積電目前的重點(diǎn)是優(yōu)化產(chǎn)量和晶圓周期時(shí)間以提高效率，由于需要采用設(shè)備供應(yīng)商ASML的EUV光刻技術(shù)，臺(tái)積電推遲了3nm技術(shù)的引入和升級(jí)。“真正的”3nm節(jié)點(diǎn)將在2023年下半年推出更高吞吐量的EUV系統(tǒng)——ASML的NXE:3800E之前無(wú)法擴(kuò)展。

近日臺(tái)積電在法說(shuō)會(huì)上稱(chēng)，公司的3nm在PPA、晶體管方面都是最有競(jìng)爭(zhēng)力的制程，3nm在今年將供不應(yīng)求，主要客戶來(lái)自高性能運(yùn)算（HPC）、智能手機(jī)領(lǐng)域，公司將于Q3開(kāi)始大量出貨，今年全年有4~6%營(yíng)收貢獻(xiàn)，比同期5nm放量時(shí)還高。臺(tái)積電透露，目前3nm家族流片量超過(guò)5nm同期的兩倍。