泛林集團(tuán)推出全球首個晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

Coronus? DX 建立在泛林集團(tuán) 15 年來在晶圓邊緣解決方案的創(chuàng)新之上

近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級器件需要數(shù)百個工藝步驟。僅需一個工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護(hù)膜，有助于防止在先進(jìn)半導(dǎo)體制造過程中經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這一強(qiáng)大的保護(hù)技術(shù)提高了良率，并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥砩a(chǎn)下一代芯片。Coronus DX 是Coronus? 產(chǎn)品系列的最新成員，擴(kuò)大了泛林集團(tuán)在晶圓邊緣技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：“在 3D 芯片制造時代，生產(chǎn)復(fù)雜且成本高昂?；诜毫旨瘓F(tuán)在晶圓邊緣創(chuàng)新方面的專長，Coronus DX 有助于實(shí)現(xiàn)更可預(yù)測的制造并大幅提高良率，為以前不可行的先進(jìn)邏輯、封裝和 3D NAND生產(chǎn)工藝得以采用鋪平道路。”

沉積在工藝集成過程中增加了關(guān)鍵保護(hù)

與 Coronus 晶圓邊緣刻蝕技術(shù)互補(bǔ)，Coronus DX 使新的器件架構(gòu)成為現(xiàn)實(shí)，這對于芯片制造商來說是顛覆性的。重復(fù)疊加的薄膜層會導(dǎo)致殘留物和粗糙度沿著晶圓邊緣積聚，并且它們可能會剝落、漂移到其它區(qū)域并產(chǎn)生導(dǎo)致器件失效的缺陷。比如：

? 在 3D 封裝應(yīng)用中，來自生產(chǎn)線后端的材料可能會遷移，并在之后的工藝中成為污染源。晶圓的塌邊會影響晶圓鍵合的質(zhì)量。
? 3D NAND 制造中的長時間濕法刻蝕工藝可能會導(dǎo)致邊緣處襯底的嚴(yán)重?fù)p壞。
當(dāng)這些缺陷不能被刻蝕掉時，Coronus DX 會在晶圓邊緣沉積一層薄的電介質(zhì)保護(hù)層。這種精確和可調(diào)整的沉積有助于解決這些可能影響半導(dǎo)體質(zhì)量的常見問題。

CEA-Leti 半導(dǎo)體平臺部門負(fù)責(zé)人 Anne Roule 表示：“CEA-Leti 運(yùn)用其在創(chuàng)新、可持續(xù)技術(shù)解決方案方面的專業(yè)知識，幫助泛林集團(tuán)應(yīng)對先進(jìn)半導(dǎo)體制造方面的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。通過簡化 3D 集成，Coronus DX大幅提高良率，使芯片制造商能夠采用突破性的生產(chǎn)工藝。”

專有工藝推動良率提升

Coronus DX 采用了一流的精確晶圓中心定位和工藝控制，包括內(nèi)置量測模塊，以確保工藝的一致性和可重復(fù)性。Coronus 產(chǎn)品逐步提高了晶圓良率，每個刻蝕或沉積步驟提高 0.2% 至 0.5% 的良率，這可以使整個晶圓生產(chǎn)流程的良率提高 5%。每月加工超過 100,000 片晶圓的制造商在一年中可通過 Coronus 提高芯片產(chǎn)量達(dá)數(shù)百萬 ——價(jià)值數(shù)百萬美元。

各大芯片制造商都使用了 Coronus

Coronus 產(chǎn)品系列于 2007年首次推出，被各大半導(dǎo)體制造商使用，在全球范圍內(nèi)安裝了數(shù)千個腔體。泛林集團(tuán)的 Coronus 產(chǎn)品系列是業(yè)界首個經(jīng)過大規(guī)模生產(chǎn)驗(yàn)證的晶圓邊緣技術(shù)。其 Coronus 和 Coronus HP 解決方案是刻蝕產(chǎn)品，旨在通過去除邊緣層來防止缺陷。Coronus 解決方案被用于制造邏輯、內(nèi)存和特色工藝器件，包括領(lǐng)先的 3D 器件。Coronus DX 目前已在全球領(lǐng)先的客戶晶圓廠中用于大批量制造。