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              第二代非易失性靜態(tài)RAM（nvSRAM）
              
                
                
              
                    
              
                        2021-04-08
                        來源：電子產(chǎn)品世界
                                                
                    
              
                    
              
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              英飛凌科技股份公司（fse：ifx / otcqx：ifnny）旗下的infineon technologies llc推出第二代非易失性靜態(tài)ram（nvsram）。新一代器件已通過qml-q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應用，包括航天和工業(yè)應用。
              256 kb stk14c88c和1 mb stk14ca8c nvsram采用32引腳300 mil雙列直插式陶瓷封裝，符合mil-prf-38535 qml-q規(guī)格（-55°c至125°c）和英飛凌的工業(yè)標準（-40 °c至85°c）。5 v和3 v版本均支持用于航天、通信和導航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準數(shù)據(jù)存儲。英飛凌還提供晶圓銷售，以支持封裝系統(tǒng)。infineon technologies llc航天與國防業(yè)務副總裁helmut puchner表示：“新一代nvsram擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器領域的領導地位。我們nvsram系列中新增的這些符合qml-q規(guī)范的高可靠性工業(yè)用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案。”
              英飛凌的nvsram技術(shù)將高性能sram與一流的sonos非易失性技術(shù)相結(jié)合。在正常工作條件下，nvsram的作用類似于傳統(tǒng)的異步sram。斷電時，nvsram會自動將sram數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲器中，該數(shù)據(jù)的保護期限超過20年。英飛凌已交付超過20億顆基于sonos的非易失性嵌入式或獨立存儲器。