三星電子 4nm 工藝良率已提高至 75% 以上

三星電子 4 納米工藝的良率目前已經(jīng)超過 75%，這引發(fā)了人們對于三星擴大半導(dǎo)體代工客戶的猜測。

7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”，并提高了“高通和英偉達(dá)再次合作的可能性”。此前，三星電子代工廠曾經(jīng)歷過產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況，導(dǎo)致主要客戶紛紛轉(zhuǎn)向臺積電。結(jié)果，去年臺積電的資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的 3.4 倍和 3.3 倍。

在 7nm 以下的先進工藝方面，臺積電的市場占有率達(dá)到了 90%，這進一步拉大了兩公司之間的差距。

隨著三星電子今年 4nm 工藝成品率超過 75%、3nm 工藝成品率超過 60%，再加上臺積電漲價的影響，業(yè)界認(rèn)為三星有望再次奪回被臺積電搶走的客戶，而且之前高通和英偉達(dá)等多位客戶也曾表示他們有必要將其外包生產(chǎn)進行多元化。

根據(jù)三星代工在 SFF 2023 上公布的最新工藝技術(shù)路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 納米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 納米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還公布了 SF2 工藝的一些特性。

在擴大技術(shù)供應(yīng)的同時，三星仍然致力于擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的產(chǎn)能。

三星計劃于 2023 年下半年在其平澤 P3 線開始量產(chǎn)芯片，而泰勒市新建廠房預(yù)計將于今年年底完工，并于 2024 年下半年開始運營。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔凈室容量比 2021 年增加 7.3 倍。