國內襯底廠商正在加速布局

中國碳化硅市場迎來大變局

我國SiC企業在不斷發展中逐漸打入國際供應鏈，國內碳化硅市場發展亦持續火熱。

英飛凌與天科合達、天岳先進宣布“牽手”合作，兩家國內廠商將為英飛凌供應6英寸SiC材料。

三安光電和意法半導體共同宣布，將斥資50億美元在重慶建立一座8英寸SiC襯底廠，據意法半導體的估算，到2030年該廠將幫助意法半導體實現50億美元的SiC營收。

中電化合物也宣布與韓國Power Master簽訂了長期供應8英寸在內的碳化硅材料的協議，公司預計未來3年碳化硅產能將達到8萬片。

此外，天岳先進近日公布了其8英寸碳化硅襯底最新技術、晶盛機電表示已成功研發出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備、合盛硅業披露其8英寸碳化硅襯底已經實現了量產、廣東芯粵能半導體表示今年年底前完成月產一萬片6英寸碳化硅晶圓芯片的產能建設。

產業鏈中技術壁壘最高的環節

SiC襯底的核心作用是無可替代的，碳化硅襯底分為兩種，一種是半絕緣型碳化硅襯底在射頻器件上的應用，一種是導電型碳化硅器件。

根據Yole報告，半絕緣型碳化硅襯底依據通信基礎建設和軍事應用的需求發展，全球碳化硅基氮化鎵射頻器件市場規模持續增長，預計從2020年的3.42億美元增長到2026年的22.22億美元，期間年均復合增長率達到17%。半絕緣型碳化硅襯底的需求量有望因此獲益而持續增長。

導電型碳化硅器件具備高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優勢，將極大地提高現有使用硅基功率器件的能源轉換效率，主要應用領域有電動車、充電樁、光伏新能源、軌道交通和智能電網等。

根據Yole報告，2021年碳化硅功率器件的市場規模為11億美元，受益于電動汽車、充電樁、光伏新能源等市場需求驅動，預計2027年將增長至63億美元，復合增長率34%。

目前國內廠商產能規劃

天科合達產線規格為6英寸，工廠位置北京和徐州。徐州工廠二期規劃年產 16 萬片碳化硅襯底及三期100萬片外延片；預計2025年底，公司6英寸有效產能達55萬片/年。

天岳先進產線規格為6英寸，工廠位置在上海臨港工廠。計劃 2026 年全面達產，達產產能 30 萬片/年。

同光晶體產線規格為4/6英寸，工廠位置在河北淶源。2022年碳化硅襯底產能約為10萬片/年，并規劃建2000臺碳化硅晶體基地和年產60萬片襯底加工基地，預計2025年末達產。

爍科晶體產線規格為4/6/8 英寸，工廠位置在山西，目前規劃 2025 年實現產能 30 萬片。

東尼電子產線規格為6英寸，工廠位置位于浙江湖州東尼產業園二期廠房。2021 年度非公開發行募投項目“年產 12 萬片碳化硅半導體材料”預計于 2023 年 11 月達產。

合盛新材產線規格為6/8 英寸，工廠位置在浙江省慈溪市。目前2 萬片襯底及外延片產業化生產線項目已通過驗收，6英寸晶體良率達到 90%，外延片良率達到 95%，已得到國內多家下游器件客戶的驗證，并順利開發了日韓、歐美客戶。同時合盛新材 8 英寸襯底研發順利，已經實現了量產。

三安半導體產線規格為6英寸，工廠位于湖南。目前湖南三安半導體產業園二期在建設中，預計于 2023 年年底建設完畢，產能達36萬片/年。

南砂晶圓產線規格為6英寸，工廠位置位于廣東。目前達產后年產襯底和外延片共20萬片。

中電化合物產線規格為6英寸，工廠位置位于浙江。目前2022 年產能達2萬片/年，未來3年有望達8萬片/年。

科友半導體產線規格為6英寸，工廠位置位于黑龍江。目前達產后產能達10萬片/年。

世紀金光產線規格為6英寸，工廠位置位于合肥。目前達產后產能達3萬片/年。

晶盛機電產線規格為6英寸，工廠位置位于寧夏。總投資50億元，主要生產6英寸及以上導電型和半絕緣型碳化硅襯底，達產可實現6英寸碳化硅晶片40萬片/年。

融資壁壘不高但導入窗口期有限

據第三代半導體聯盟的調研，國內碳化硅功率半導體產業年產值還很小，約100億元人民幣，但是增長很快，增速接近50%。主要應用領域是新能源汽車占65%，其他還有光伏、儲能、消費類。工業、商業的應用未來幾年也可能會大幅擴展。

據統計，今年以來碳化硅領域已發生超15起融資事件，2023年5月以來，先后有粵海金半導體、希科半導體、瀚薪科技、長飛先進等完成融資。其中，粵海金半導體和希科半導體完成Pre-A輪融資，瀚薪科技完成超5億元B輪融資。

近日，安徽長飛先進半導體有限公司宣布完成超38億元A輪股權融資，本輪融資規模創國內第三代半導體私募股權融資規模歷史之最，并刷新2023年以來半導體私募股權融資市場單筆最大融資規模紀錄。

數據顯示，中國碳化硅半導體產業2022年吸金超過2400億元，其中，襯底和芯片環節成為投資強度最大領域。去年碳化硅產業已披露的擴產投資金額達到1272.63億元（不含光電），較2021年增長了36.7%。

但同時需要注意，盡管目前碳化硅襯底市場供不應求，但是由于供應鏈的驗證周期也較長，故產業導入窗口期也是有限的。

結尾：

在雙碳政策以及各種需求的推動下，以碳化硅為主的第三代半導體必然會成為綠色時代的寵兒，相信在不久的未來，不止碳化硅襯底廠商，下游的第三代半導體功率器件廠商也將會迎來新一輪的“撈金浪潮”。