報告稱三星 3nm 芯片良率已超過臺積電

7 月 18 日消息，根據(jù) Hi Investment & Securities 機構(gòu)近日發(fā)布的報告，Samsung Foundry 在 3nm 工藝上的良率達到了 60%，高于臺積電（55%）。

報道稱三星大力發(fā)展 3nm，不斷提升生產(chǎn)工藝、提高生產(chǎn)良率，目前已經(jīng)將良率提升到 60%，該媒體認為三星會在超先進芯片制造技術(shù)上勝過臺積電。

報告中也指出三星目前在 4nm 工藝方面良率為 75%，和臺積電（80%）存在差距，不過通過發(fā)力 3nm，有望在未來超過臺積電。

報告中還指出由于臺積電的大部分訂單都被蘋果預訂，英偉達、高通等公司都對三星的第二代 3nm（SF3）工藝感興趣。

此前報道，Samsung Foundry 在 SFF 2023 上公布的最新工藝技術(shù)路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 納米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 納米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還公布了 SF2 工藝的一些特性。