東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車設備實現(xiàn)高散熱和小型化

2023-08-17 來源：華強電子網(wǎng)

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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

自動駕駛系統(tǒng)等高安全級別的應用可通過冗余設計確?？煽啃裕虼伺c標準系統(tǒng)相比，它們集成了更多的器件，需要更多的表貼空間。所以，要進一步縮小汽車設備的尺寸，需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGLTM封裝（7.0mm×8.44mm[1]），其特點是采用無接線柱結(jié)構(gòu)，將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結(jié)構(gòu)降低了封裝電阻。

與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM（W）封裝產(chǎn)品[2]相比，S-TOGLTM封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結(jié)合，可實現(xiàn)導通電阻顯著降低11%。與TO-220SM（W）封裝相比，新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外，采用新型封裝的產(chǎn)品可提供200A漏極額定電流，高于東芝類似尺寸的DPAK＋封裝（6.5mm×9.5mm[1]）產(chǎn)品，從而實現(xiàn)了大電流?？傮w而言，S-TOGLTM封裝可實現(xiàn)高密度和緊湊布局，縮小汽車設備的尺寸，并有助于實現(xiàn)高散熱。

由于汽車設備可能在極端溫度環(huán)境下工作，因此表面貼裝焊點的可靠性是一個關(guān)鍵考慮因素。S-TOGLTM封裝采用鷗翼式引腳，可降低表貼應力，提高焊點的可靠性。

當需要并聯(lián)多個器件為應用提供更大工作電流時，東芝支持這兩款新產(chǎn)品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設計使用同一組別的產(chǎn)品，從而減小特性偏差。

東芝將繼續(xù)擴展其功率半導體產(chǎn)品線，并通過用戶友好型、高性能功率器件為實現(xiàn)碳中和做出貢獻。

應用

- 汽車設備：逆變器、半導體繼電器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動等

特性

- 新型S-TOGLTM封裝：7.0mm×8.44mm（典型值）

- 高額定漏極電流：

XPJR6604PB：ID＝200A

XPJ1R004PB：ID＝160A

- AEC-Q101認證

- 提供IATF 16949/PPAP[4]

- 低導通電阻：

XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53m?（典型值）（VGS＝10V）

XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8m?（典型值）（VGS＝10V）

主要規(guī)格

				新產(chǎn)品		現(xiàn)有產(chǎn)品
器件型號				XPJR6604PB	XPJ1R004PB	TKR74F04PB	TK1R4S04PB
極性				N溝道
系列				U-MOSIX-H
封裝	名稱			S-TOGLTM		TO-220SM（W）	DPAK+
	尺寸（mm）		典型值	7.0×8.44，厚度＝2.3		10.0×13.0，厚度＝3.5	6.5×9.5，厚度＝2.3
絕對最大額定值	漏極-源極電壓 VDSS（V）			40
	漏極電流（DC） ID（A）			200	160	250	120
	漏極電流（脈沖） IDP（A）			600	480	750	240
	結(jié)溫 Tch（℃）			175
電氣特性	漏極-源極導通電阻 RDS(ON)（mΩ）	VGS＝10V	最大值	0.66	1.0	0.74	1.35
	結(jié)殼熱阻 Zth(ch-c)（℃/W）	Tc＝25℃	最大值	0.4	0.67	0.4	0.83