美系芯片技術反超，再次聯手漲價，遮羞布被撕下了

分析機構指出三星、美光、SK海力士已聯手調價，對NAND flash芯片漲價10%，顯示出他們在再次取得技術優勢之后，開始重新掌握定價權，開啟漲價收割市場了，這與他們所說的技術升級而成本將下降形成了鮮明對比，可以說撕下了他們的遮羞布。

一、中國芯片技術反超推動存儲芯片降價

2022年中國的存儲芯片企業表示率先量產全球最先進的232層NAND flash存儲芯片，由此國產芯片取得了技術優勢，同時國產存儲芯片的二期工程也在去年量產，依靠領先的技術優勢以及成本優勢，國產存儲芯片開始反擊美系芯片。

在國產存儲芯片的猛烈攻勢下，從去年中至今年上半年，全球存儲芯片的價格腰斬，這給予美系芯片造成巨大的打擊。美光首先出現虧損，今年一季度更是創下歷史最高的虧損紀錄，營收僅40億美元，虧損卻高達23億美元。

面對著虧損的業績，美光率先掛起免戰牌，美光對經銷商表示不會再跟進降價。對美光予以重擊的還有中國對它的安全審查，這幾乎導致它喪失了中國的企業市場，由此它在中國市場取得的收入迅速從早年的170多億美元降低至如今的幾十億美元。

韓國存儲芯片同樣遭受重大打擊，韓國存儲芯片大約有六成出口至中國市場，隨著中國存儲芯片的舉起，國產存儲芯片大舉替代進口芯片，直接導致韓國對中國的芯片出口暴跌，今年初曾有數據指出韓國對中國的芯片出口下滑了四成，導致三星、SK海力士等韓國存儲芯片的庫存高漲，韓媒報道指三星的庫存芯片金額高達3400億元。

可以看出國產存儲芯片在技術和產能取得進展后，大舉搶占國內市場，給美系芯片造成了巨大的打擊，在市場上競爭不過，于是美國采取了措施，限制芯片設備企業和材料企業給中國的存儲芯片企業供應相關的產品，導致中國的存儲芯片技術升級放緩。

二、美系芯片取得技術反超

近期消息指出三星、美光等都已研發成功300層以上的NAND flash，技術的升級讓同樣面積的存儲芯片可以提供更大的容量，本來如此做可以大幅降低存儲芯片單位成本，存儲芯片理應進一步降價。

然而近期他們卻聯手漲價，這次漲價10%，估計只是起點，在上一個存儲芯片繁榮周期，存儲芯片的價格曾上漲一倍以上，導致手機企業、PC企業叫苦不迭，而美系芯片企業的利潤卻是持續大幅增長，乃至倍增，賺得盆滿缽滿。

可以看出中國存儲芯片的競爭力下滑，讓美系芯片不再感受到壓力，沒有了競爭對手，這就讓美系芯片開始肆無忌憚的漲價。其實這已不是美系芯片如此做了，多年前他們就被歐盟和美國進行反壟斷調查，被罰款數億美元，證明了他們向來有聯手漲價的慣例。

美系芯片漲價，對中國的消費電子產業不利，中國是全球最大的存儲芯片采購國，中國生產了六成的PC、七成的手機，這些消費電子產品都需要大量的存儲芯片，存儲芯片漲價，顯然對中國制造不利。

這樣的事實說明國產芯片需要真正自立自強，如果沒有足夠的話語權，海外芯片企業就是肆無忌憚的漲價，從中國企業身上賺取更多的利潤，不過中國的存儲芯片已具有較強的技術基礎，而國產光刻機也已取得突破，相信國產存儲芯片的技術很快就會再次反超，美系芯片再次收割中國制造的愿望恐怕很難再次實現。