美國打壓長江存儲的目標(biāo)實現(xiàn)？美光、三星等從落后，變成領(lǐng)先

近日，三大存儲巨頭SK海力士、美光、三星先后表示，自己的300+層的4D NAND閃存預(yù)計很快就會面市，與上一代的232層3D NAND閃存相比，存儲密度更高，同時讀寫速度也更快，功耗降低，延遲降低。

對于存儲芯片而言，存儲密度更高，代表著單位體積內(nèi)，容量增大，成本降低。而讀寫速度更快，意味著性能提升。

這意味著一旦新款的300+的4D NAND閃存上市，對于市場而言，將會是一個大升級，其它沒能及時推出300+層閃存的廠商，將沒有競爭優(yōu)勢。

拿SK海力士來舉例，他說自己的321層4D NAND閃存，相比于上一代232層的3D閃存，單位容量提升了41%，生產(chǎn)效率也提升了59%，算下來單位容量成本降了至少50%。

這讓只能生產(chǎn)老款232層的3D NAND閃存怎么競爭？成本降了50%啊，價格優(yōu)勢太明顯了。

這其中對誰的影響最大？估計就是中國存儲廠商長江存儲了，你想一想，如果三星、SK海力士、美光們的成本降了50%，長江存儲怎么競爭呢？跟著降50%？肯定是虧，不降價，則市場會被搶，真的是左右為難。

可能很多人會說，那長江存儲也可以努力研發(fā)300+層的技術(shù)啊，技術(shù)上追上，就不擔(dān)心了。

但是，問題了，從去年開始，美國將長江存儲拉入了黑名單，對長江存儲進(jìn)行了打壓，目的就是希望遏制長江存儲的發(fā)展，特別是不允許他研發(fā)出新的技術(shù)。

為什么美國要打壓長江存儲，原因在于長江存儲雖然成立時間短，但進(jìn)步可是全球第一，6年時間，就從0突破，成為全球首家量產(chǎn)232層3D NAND閃存的廠商。

比三星、SK海力士、美光還領(lǐng)先，一旦讓長江存儲這么發(fā)展下去，估計中國的存儲芯片就要全部自給，不需要再進(jìn)口了，不僅如此，長江存儲全球領(lǐng)先之后，還將威脅到美光、三星、SK海力士等的地位。

于是美國出手，對長江存儲進(jìn)行制裁，不將先進(jìn)的設(shè)備、技術(shù)等出口給長江存儲，甚至連已經(jīng)出口的先進(jìn)設(shè)備、技術(shù)等，都要受管制。

現(xiàn)在的結(jié)果其實也比較明顯，那就是在打壓之后，長江存儲受到了影響，再也無法保持領(lǐng)先地位了，明明全球第一家量產(chǎn)232層3D NAND芯片，但在最新的300+層的4D閃存上，卻落后了。

而這也是美國想要看到的，美國希望繼續(xù)由美光、三星、SK海力士來引領(lǐng)存儲芯片市場，美光是美國的，三星、SK海力士是韓國的，但其實也是美國的小弟。這樣中國就還需要美國的存儲芯片，還得依賴美國，那么美國就可以繼續(xù)保誰自己的芯片霸權(quán)。

可見，依賴國外技術(shù)的突破，真的是空中樓閣啊，還得國產(chǎn)供應(yīng)鏈發(fā)展起來，獨立自主突破才真正可控。