三星搞笑了：3nm芯片彎道超車失敗，連自己都不用

去年6月份的時候，三星就表示稱，自己的3nm芯片正式量產，采用的是新一代的GAAFET晶體管技術。

而臺積電的3nm，直到去年12月份才量產，采用的還是之前的老邁的FinFET晶體管技術。

可見，三星領先臺積電半年，同時技術更先進，畢竟大家都認為GAAFET晶體管技術，比FinFET晶體管技術更先進。

于是很多人認為，三星這次可能要彎道超車，用GAAFET晶體管技術，領先臺積電，搶臺積電的市場，最終戰勝臺積電。

一年多時間過去了，臺積電的3nm手機芯片蘋果A17 Pro正式推出，用于iPhone15 Pro系列上，雖然表現沒有讓人驚艷，表現一般般，但至少3nm工藝已經立住了，在3季度，已經為臺積電貢獻了6%的收入，后續會不斷的增多。

但三星的3nm芯片呢？雖然領先半年，雖然采用更先進的GAAFET技術，但目前還沒有一家手機芯片廠商使用，高通最新的驍龍8Gen3，采用的是4nm工藝，聯發科的天璣9300，采用的是4nm工藝。

最搞笑的是，三星自己的Exynos2400，居然也不用自己的3nm工藝，使用的是去年的4nm工藝。連三星自己都不用的工藝，你說讓別人怎么用？自己都沒有信心，讓別人怎么有信心呢？這不是很搞笑么？

不同芯片工藝的閾值電壓變化圖

事實上，GAAFET晶體管技術，確實比FinFET晶體管技術要好，特別是在功耗控制、發熱控制上。

我們知道，芯片的功耗，分為兩部分，一部分是動態功耗，即芯片運行時產生的功耗。

另外一部分則是表態功耗，也稱漏電功耗，即CMOS晶體管各種泄露電流產生的靜態功耗，這部分與芯片的閾值電壓息息相關，其實到7nm階段時，芯片的靜態功耗，比動態功耗更高，這部分才是功耗大頭。

而GAA技術，相比于之前的FinFET技術，加到晶體管上的閾值電壓變小，這樣導致漏電功率也變小，從而芯片的功耗會得到較好的控制，功耗降低，那么發熱也會更佳。

但很明顯，三星GAAFET技術雖然很厲害，但沒能在這次的3nm芯片上彎道超車，反而成了笑話，畢竟自己都不用的工藝，讓別人怎么用。

不過，近日三星又放話了，要在2026年實現2nm芯片的量產，然后在未來 5 年內超越臺積電和其它行業巨頭！