豁免后的三星，充當(dāng)美國打手，升級236L技術(shù)打壓中國存儲芯片？

眾所周知，前段時(shí)間美國正式“無限豁免”了三星、SK海力士這兩家韓國。

接下來這兩家韓企在中國大陸境內(nèi)的芯片擴(kuò)產(chǎn)等，不受任何禁令的限制，也不需要許可證，就可以購買任何先進(jìn)的設(shè)備，使用美國先進(jìn)的技術(shù)等等。

美國為何會豁免這兩大企業(yè)，有兩個(gè)原因，一是拉攏這兩家韓國小弟，給點(diǎn)甜頭，免得他們不滿，最后反彈，影響到美國自己。

另外一個(gè)原因就是，目前中國存儲芯片在崛起，希望三星、SK海力士在中國大陸搞風(fēng)搞雨的，充當(dāng)美國的打手，打壓中國存儲芯片，遏制中國存儲芯片的崛起。

要知道去年長江存儲就有了232層的 3D NAND閃存芯片，還是全球第一家量產(chǎn)232層存儲芯片的廠商，這當(dāng)然讓美國不爽了，一方面對長存進(jìn)行打壓，而豁免三星、SK海力士，也算是給他們遞刀子。

既然美國遞了刀子，且豁免三星、SK海力士，作為條件，那么三星等，自然也要滿足美國的要求嘛，那就是想辦法來打壓中國存儲芯片。

所以近日，有消息傳出，三星高層已決定將其為在中國西安NAND Flash閃存工廠升級到236層堆疊的技術(shù)，并準(zhǔn)備開始大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)動作，之前這家工廠要生產(chǎn)128層的芯片為主。

要知道，目前長江存儲最高技術(shù)就是232層，且因?yàn)榻睿a(chǎn)能有限，基本沒法擴(kuò)產(chǎn)，所以目前長存的主流芯片其實(shí)還是96層技術(shù)。

三星擴(kuò)產(chǎn)為236L技術(shù)，一定程度上來講，其實(shí)就是降維打擊，畢竟236層對96層，存儲密度更高，同樣容量之下的成本更低，價(jià)格有優(yōu)勢。

從市場的角度來看，如果三星用236L技術(shù)，來打壓長存的96層技術(shù)，三星當(dāng)然有優(yōu)勢的，那么必將影響到長江存儲的市場。

而三星在行動，相信SK海力士也不遠(yuǎn)了，這兩大廠商如果對中國存儲芯片進(jìn)行降維打擊，通過價(jià)格，技術(shù)升級等，對國產(chǎn)存儲的影響還是比較大的，你覺得呢？

接下來，希望國產(chǎn)存儲趕緊突破，早點(diǎn)實(shí)現(xiàn)更高堆疊的存儲技術(shù)，靠老技術(shù)，很難與三星、SK海力士等競爭。

而要實(shí)現(xiàn)更高堆疊的新技術(shù)，在國外先進(jìn)設(shè)備被禁的情況之下，只有期待國產(chǎn)設(shè)備突破了，這又回到了我們最關(guān)注的點(diǎn)，那就是國產(chǎn)供應(yīng)鏈真的必須雄起了，否則就會一直被打壓，被圍堵……