國產光刻機，三大核心部件，突破到哪一步了？只差臨門一腳了

眾所周知，目前國內的芯片產業，被光刻機卡住了脖子。

如果ASML不賣浸潤式光刻機，不賣EUV光刻機給我們，在國產光刻機沒有突破的情況之下，我們很難進入7nm以下。

而最近幾年，經常也有各種國產光刻機突破的消息，經常有一些媒體稱，國產28nm光刻機快出來了……

那么問題來了，目前光刻機的一些核心部件，國產化到哪一步了？

我們知道，光刻技術是在特定波長的光照作用下，借助光刻膠將光掩模上的圖形轉移到基片上的技術工藝。

如果從原理來看，其過程是光源穿過光掩模，并通過透鏡使得光掩模縮小，最終使光落于覆蓋有光刻膠的基板上，最終完成對底片的雕刻。

核心部件一是光源系統，核心二是物鏡系統，核心三是雙工作臺。當然除了這三大核心器件之外，還有能量探測器、遮光器等等，我們這里不細說，只說這三大核心器件。

光源系統，DUV光刻機，包括ArF，以及浸潤式的ArFi，采用的都是193nm波長的光源，稱之為深紫外線，目前上海微電子的90nm光刻機，采用的也是193nm，和浸潤式光刻機是一致的，最高可以支持到7nm，這一塊不是短板，在EUV之前，都能用。

物鏡系統，這一塊才是真正的難點，考驗的是光學水平。

ASML的物鏡系統，是由全球最牛的光學公司卡爾蔡司提供的，卡爾蔡司是ASML 透鏡，反射鏡，照明器，收集器和其他關鍵光學元件（即光學元件）的唯一供應商。

目前國產光刻機的物鏡系統，正在使用的還在90nm，不過據稱長春光電所的物鏡系統已經達到了32nm，暫時還不清楚有沒有使用到光刻機上。

可見，在物鏡系統這一塊，國內的公司與之相比，還有非常大的差距，這可能也是制約國產光刻機突破的重要因素之一。

再看工作臺方面，這一塊是機械、自動化、精密儀器方面的能力。

目前ASML的光刻機，其精度能夠在高速運動下保持 2nm 精度，國內這一塊，之前有媒體傳出清華大學和華卓精科合作研發出光刻機雙工作臺，精度為 10nm，雖然不如2nm，但已經相當不錯了。

另外關于浸潤式光刻機，還有一個浸潤式系統，這一塊考驗的其實也是傳感器、儀器控制等，193nm波長的光源，通過浸潤式系統后，就變成了134nm。

目前在這一塊，國內暫時還沒有傳出突破的消息，但也傳出國內企業啟爾機電在浸液控制系統上取得了重大突破，具體到哪一步了，還不太清楚。

由此可見，國產光刻機，看起來也沒有想象中的那么難，光源、工作臺不是問題，物鏡系統也快了，浸潤式系統也有突破，國內廠商們正在一步一步突破，相信浸潤式國產光刻機，真的不太遠了。