進入14nm工藝，國產光刻膠大突破，減少對日本的依賴

目前的芯片制造工藝，均是光刻工藝，即通過光學--化學反應原理，將電路圖傳遞到硅晶圓上，形成有效的電路圖形。

而光刻工藝過程中，除了光刻機這種設備之外，還有一種化學材料必不可少，那就是光刻膠，它是光刻工藝中最核心的耗材，其性能決定著光刻質量。

大家都清楚，目前光刻機領域，日本處于壟斷地位，拿下了全球80%以上的份額，特別是在高端光刻膠領域，更是壟斷著市場，比如EUV光刻膠，全球僅日本廠商能夠制造。

這對于中國芯而言，肯定是無法接受的事情，因為供應鏈被日本壟斷，就有著斷供的風險，所以這些年，中國光刻膠雖然一直以中低檔產品為主，但高端領域正在逐步突破過程中，國產替代正在持續進行。

從具體的分類來看，光刻膠分為半導體光刻膠、LED光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠。其中半導體光刻機難度最高。

而半導體光刻膠按照工藝的先進性，又分為EUV光刻膠、ArF光刻膠、KrF光刻膠、I/G線光刻膠，這些光刻膠與光刻機又是一一對應，比如EUV光刻膠用于EUV光刻機，ArF光刻膠用于ArF光刻機。

由于國產光刻膠本來就起步晚，之前國產光刻膠，最多達到干式的ArF階段，也就是干式ArF光刻機能夠使用的光刻膠，從對應的芯片工藝來看，最高就是65nm左右。

不過近日，有國產廠商徐州博康表示，他們的2款濕法光刻膠，正在產品驗證導入階段，最高可以實現14納米節點。

另外他們的I線光刻膠有15款產品，KrF光刻膠有30款產品，ArF光刻膠有26款產品，足以對日本的眾多光刻膠進行國產替代。

事實上，研發光刻膠真的不容易，因為光刻膠是一些化學材料合成到一起的，研發過程就是是一個不斷進行配方調試的過程。

而配方則是成百上千的樹脂、光酸和添加劑的排列組合，要不斷的嘗試、驗證，調整，最后才成研制出來，更重要的是，研發光刻膠，也不能買現成的來反向分析構成，因為一些材料混合一起后，成本會發生變化，分析不出來的。

同時材料的提純等，也考驗廠商的能力，就算你知道某些材料的構成，但如果提純能力達不到，也是研制不出來成熟的光刻膠。

中國是全球第一大芯片市場，這幾年芯片產能不斷增長，更是制定了實現70%自給率的目標，所以對光刻膠的需求也是越來越大，同時隨著工藝推進，對高端光刻膠的需求也大增。

所以國產光刻膠廠商，還得繼續努力，完善產業鏈，加快供應鏈本土化，為光刻膠國產化貢獻力量，早點進入7nm，甚至5nm、3nm，真正解決后顧之憂。