日本宣布全新光刻機！精度小于2.1納米、價格便宜30％

尼康宣布，將于2024年1月正式推出ArF 193納米浸沒式光刻機“NSR-S636E”，生產(chǎn)效率、套刻精度都會有進一步提升。

據(jù)悉，尼康這款曝光機采用增強型iAS設計，可用于高精度測量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號稱不超過2.1納米。

分辨率小于38納米，鏡頭孔徑1.35，曝光面積為26x33毫米。

對比當前型號，它的整體生產(chǎn)效率可提高10-15％，創(chuàng)下尼康光刻設備的新高，每小時可生產(chǎn)280片晶圓，停機時間也更短。

尼康還表示，在不犧牲生產(chǎn)效率的前提下，新光刻機可在需要高重疊精度的半導體制造中提供更高的性能，尤其是先進邏輯和內(nèi)存、CMOS圖像傳感器、3D閃存等3D半導體制造，堪稱最佳解決方案。

另據(jù)了解，新光刻機的光源技術是20世紀90年代就已經(jīng)成熟的“i-line”，再加上相關零件、技術的成熟化，價格將比競品便宜20-30％左右。

不過，目前尚不清楚尼康這款光刻機能制造多少納米的芯片。

日本尼康、佳能與荷蘭阿斯麥(ASML)曾經(jīng)是光刻機三巨頭，但因為點錯了科技樹，沒有跟上阿斯麥的193納米浸沒式光刻技術，逐漸沒落，尤其是在EUV極紫外光刻技術上毫無建樹。

為了生存，尼康、佳能基本放棄了對尖端光刻技術的角逐，更專注于難度更低、價格更低的成熟工藝光刻設備。

但他們也并非一無是處，比如佳能研發(fā)了納米壓印技術(NIL)，無需EUV就能制造5納米芯片。

但是，佳能CEO Fujio Mitarai透露，公司的新納米壓印技術將為小型半導體制造商生產(chǎn)先進芯片開辟一條道路，但不會賣給中國廠商。

由于該設備可以用于制造5nm尖端制程芯片，且不是基于光學技術，引起了中國廠商的興趣，但可能無法實現(xiàn)。

今年7月，日本擴大了對芯片制造出口的限制，但沒有明確提到納米壓印光刻技術。

Mitarai稱，佳能可能無法將這些機器運往中國。我的理解是，14nm技術以外的任何產(chǎn)品都是禁止出口的。

據(jù)悉，納米壓印技術采用與傳統(tǒng)投影曝光技術不同的方法形成電路圖案，該設備不僅功耗更低、更環(huán)保，而且成本遠低于現(xiàn)階段ASML的EUV光刻機。

Mitarai重申:“我不認為納米壓印技術會取代EUV，但我相信這將創(chuàng)造新的機會和需求，我們已經(jīng)收到了很多客戶的咨詢。”