芯片巨頭官宣重組，重點(diǎn)發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)！國(guó)內(nèi)外瞧中這條好賽道

芯片巨頭“意法半導(dǎo)體”（ST）宣布即將進(jìn)行重組，該重組將于2024年2月5日生效。據(jù)悉，通過(guò)此次重組，該公司將從三個(gè)產(chǎn)品部門(mén)過(guò)渡到兩個(gè)產(chǎn)品部門(mén)（APMS和MDRF），且ST前汽車(chē)和分立產(chǎn)品集團(tuán)總裁Marco Monti也將離開(kāi)公司。

其中，模擬、電源和分立器件、MEMS 和傳感器 (APMS)，該部門(mén)將由ST總裁兼執(zhí)行委員會(huì)成員Marco Cassis的領(lǐng)導(dǎo)，合并了ST的模擬產(chǎn)品，包括汽車(chē)智能電源解決方案、電源和分立產(chǎn)品線(xiàn)（包括碳化硅產(chǎn)品），以及MEMS和傳感器。APMS將具有兩個(gè)可報(bào)告細(xì)分市場(chǎng)：模擬產(chǎn)品、MEMS和傳感器；電源和分立產(chǎn)品。

微控制器、數(shù)字IC和RF產(chǎn)品(MDRF)，該小組由ST總裁兼執(zhí)行委員會(huì)成員Remi El-Ouazzane領(lǐng)導(dǎo)，涵蓋ST的數(shù)字IC、MCU（包括汽車(chē)MCU）、RF、ADAS和信息娛樂(lè)IC。MDRF將由兩個(gè)可報(bào)告細(xì)分市場(chǎng)組成：MCU；以及數(shù)字IC和射頻產(chǎn)品。

除了這些產(chǎn)品組的變化之外，意法半導(dǎo)體還計(jì)劃在其所有區(qū)域細(xì)分市場(chǎng)的終端市場(chǎng)實(shí)施新穎的應(yīng)用營(yíng)銷(xiāo)組織，迎合汽車(chē)、工業(yè)電子和能源、工業(yè)自動(dòng)化及物聯(lián)網(wǎng)和人工智能、個(gè)人電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備等四個(gè)主要終端市場(chǎng)。ST總裁兼執(zhí)行委員會(huì)成員Jerome Roux將監(jiān)督該舉措。

意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示，此次組織架構(gòu)改革符合意法半導(dǎo)體加快上市時(shí)間、加強(qiáng)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)創(chuàng)新和提高運(yùn)營(yíng)效率的承諾。

值得注意的是，2023年12月22日，意法半導(dǎo)體官微宣布，該公司與理想汽車(chē)簽署了一項(xiàng)碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議,意法半導(dǎo)體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車(chē)進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。據(jù)介紹，理想汽車(chē)即將推出的800V高壓純電平臺(tái)將在電驅(qū)逆變器中采用意法半導(dǎo)體的第三代1200V SiC MOSFET技術(shù)。


碳化硅下游增長(zhǎng)點(diǎn)：汽車(chē)、工業(yè)市場(chǎng)

意法半導(dǎo)體曾透露未來(lái)發(fā)展目標(biāo)，在2025年至2027年間，成為營(yíng)收200億美元+的公司。目前，意法半導(dǎo)體的策略是布局四個(gè)終端市場(chǎng)，其中汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)是最快的增長(zhǎng)點(diǎn)。

“工業(yè)市場(chǎng)是一個(gè)高度多元化的市場(chǎng)，不同細(xì)分市場(chǎng)具不同的需求。目前，意法半導(dǎo)體已經(jīng)確定了40多個(gè)細(xì)分市場(chǎng)，并在這些細(xì)分市場(chǎng)上部署了20,000多種產(chǎn)品。”意法半導(dǎo)體銷(xiāo)售&市場(chǎng)總裁 Jerome Roux在2023年意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)上曾表示，從較高的層面來(lái)看，我們可以將工業(yè)市場(chǎng)正在發(fā)生的變化視為長(zhǎng)期變革。

在汽車(chē)方面，意法半導(dǎo)體表示，碳化硅技術(shù)主要應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，特別在牽引逆變器的應(yīng)用上。碳化硅材料的應(yīng)用可使整個(gè)續(xù)航里程能夠提升16%——20%。除此之外，碳化硅技術(shù)還可以賦能充電樁基礎(chǔ)建設(shè)。

受益于新能源汽車(chē)等下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，碳化硅正處于高速成長(zhǎng)期，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。

未來(lái)SiC襯底價(jià)格將持續(xù)下探

8英寸襯底為未來(lái)SiC行業(yè)重點(diǎn)發(fā)展趨勢(shì)。由于SiC襯底制備難度大且良率較低，造成SiC器件成本明顯高于Si產(chǎn)品， 隨著襯底尺寸增大，可集成的芯片單位總數(shù)就越大，根據(jù)Wolfspeed數(shù)據(jù)，8英寸SiC襯底相較于6英寸可制備32mm2 芯片的總數(shù)將提升89%，邊緣浪費(fèi)將由14%降低至7%。同時(shí)，根據(jù)GTAT公司預(yù)測(cè)，相較于6英寸平臺(tái)，8英寸襯底的 引入將使SiC器件成本降低20%-35%。展望未來(lái)，隨著8英寸SiC生產(chǎn)工藝優(yōu)化改良以及生產(chǎn)設(shè)備配套更新，疊加相關(guān) 產(chǎn)能的不斷提升，未來(lái)SiC襯底價(jià)格將逐步下探。

2026年全球?qū)щ娦蚐iC襯底市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)16億美元。2019年全球?qū)щ娦蚐iC襯底市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2.3億美元，受新能源汽車(chē) 等下游領(lǐng)域的持續(xù)景氣，預(yù)計(jì)2026年將增長(zhǎng)至16.2億美元，2019-2026年年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)32%。

2026年全球半絕緣型SiC襯底市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)4億美元。2019年全球半絕緣型SiC襯底市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.5億美元，受益于5G 滲透加速以及全球地緣政治動(dòng)蕩，預(yù)計(jì)2026年將增長(zhǎng)至4.3億美元，2019-2026年年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)16%。


本土碳化硅供應(yīng)商份額增長(zhǎng)空間大

國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展神速，首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距，另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來(lái)越大。這使得國(guó)內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中，無(wú)論是從市場(chǎng)需求，還是產(chǎn)業(yè)鏈上游的產(chǎn)能、技術(shù)上都處于重要地位。

此前麥肯錫的報(bào)告中顯示，中國(guó)碳化硅市場(chǎng)上，80%的襯底/晶圓以及95%以上的器件來(lái)自海外供應(yīng)商。但考慮到地緣政治以及供應(yīng)穩(wěn)定，中國(guó)汽車(chē)OEM正在加速尋求本土供應(yīng)商，預(yù)計(jì)到2030年，中國(guó)汽車(chē)OEM廠(chǎng)商將廣泛轉(zhuǎn)向本地供應(yīng)商采購(gòu)，從目前的約15%提高到約60%。