為擴(kuò)大碳化硅供應(yīng)量，英飛凌與昭和電工達(dá)成合作

英飛凌今日宣布，為提高碳化硅（SiC）的供應(yīng)安全，已和日本晶圓制造商昭和電工簽訂供應(yīng)合約，供應(yīng)包括磊晶在內(nèi)的各種碳化硅材料，英飛凌因此可獲得更多基材，以滿足對(duì)SiC 型產(chǎn)品日益漸增的需求。

英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁Peter Wawer 表示，SiC 半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)在未來(lái)五年內(nèi)的年成長(zhǎng)率可達(dá)30%-40%，與昭和電工合作擴(kuò)大英飛凌的晶圓供應(yīng)商基礎(chǔ)，是在此一持續(xù)成長(zhǎng)市場(chǎng)中多源策略重要的一步，將穩(wěn)固地支援達(dá)成中長(zhǎng)期的目標(biāo)。此外，英飛凌也計(jì)劃在策略開發(fā)材料方面與昭和電工合作，以提升品質(zhì)并降低成本。

SiC 可提供高效率與強(qiáng)固的功率半導(dǎo)體，特別專注于光電、工業(yè)電源供應(yīng)器和電動(dòng)車充電基礎(chǔ)設(shè)備等領(lǐng)域；英飛凌擁有業(yè)界最大用于工業(yè)應(yīng)用的SiC 半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，而英飛凌與昭和電工之間簽訂兩年期的合約，且可續(xù)約。

昭和電工資深執(zhí)行董事Jiro Ishikawa 則表示，很高興能夠?yàn)橛w凌提供同級(jí)最佳的SiC 材料及最先進(jìn)的磊晶技術(shù)；未來(lái)目標(biāo)是持續(xù)改進(jìn)SiC 材料的品質(zhì)并開發(fā)新一代技術(shù)。