美國的芯片工藝反超或落空，高通證明臺積電2納米工藝如期推進(jìn)
據(jù)外媒報道指高通已要求臺積電和三星提供2納米工藝樣板，預(yù)計在2025年同時給這兩家芯片代工企業(yè)的2納米工藝下單，這意味著臺積電的2納米工藝能如期在2025年量產(chǎn)，對美國的芯片產(chǎn)業(yè)計劃無疑是一大打擊。
美國芯片龍頭Intel在2014年之前一直都引領(lǐng)著全球芯片工藝的發(fā)展，而臺積電、三星等在那時候一直跟著Intel吃屁，不過Intel也是在2014年量產(chǎn)14納米工藝之后就陷入停滯，芯片工藝研發(fā)連續(xù)5年無法取得進(jìn)展。
臺積電和三星此后卻一直保持著1-2年時間升級一次芯片制造工藝，到了7納米工藝之后終于實現(xiàn)了對Intel的反超，而Intel那時候才量產(chǎn)10納米工藝，在芯片工藝方面的落后直接導(dǎo)致美國芯片對臺積電的依賴性加大，美國芯片大多都將芯片交給臺積電代工。
這幾年美國迫使臺積電和三星赴美設(shè)廠，被認(rèn)為是美國試圖獲取他們的芯片技術(shù)機密，進(jìn)而幫助Intel等美國芯片企業(yè)重新掌控芯片技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢，到了今年美國的做法已經(jīng)越發(fā)明顯了，這讓臺積電和三星頗為不安。
據(jù)悉全球最大的光刻機企業(yè)ASML預(yù)計今年量產(chǎn)10臺2納米光刻機，其中有6臺已確定給Intel，美國希望通過將最多的2納米光刻機交給Intel，幫助Intel加速在2025年量產(chǎn)2納米工藝，這讓業(yè)界擔(dān)憂臺積電可能會在2納米工藝方面落后。
如今高通給出的消息意味著臺積電已在推進(jìn)2納米工藝，甚至已具備制造樣板的能力，這意味著臺積電當(dāng)前的2納米工藝已取得了重大進(jìn)展，這也將確保臺積電繼續(xù)保持芯片制造工藝領(lǐng)先優(yōu)勢。
臺積電能如此確保先進(jìn)工藝的進(jìn)展顯然并非完全是靠光刻機等先進(jìn)設(shè)備，這點當(dāng)年在7納米工藝上就有所體現(xiàn)，當(dāng)時業(yè)界都認(rèn)為需要用到第一代EUV光刻機才能量產(chǎn)7納米工藝，而臺積電硬是用原有的DUV光刻機量產(chǎn)了7納米工藝。
與此同時，三星卻是最先采用了EUV光刻機量產(chǎn)7納米工藝，但是三星卻遭遇了良率問題以及芯片工藝技術(shù)水平未能達(dá)到預(yù)期，最終多數(shù)芯片企業(yè)采用了臺積電的7納米工藝；如今在3納米工藝上，三星也是激進(jìn)地引入了GAA技術(shù)，再次導(dǎo)致3納米工藝良率低至兩成，臺積電則保守地在3納米工藝上繼續(xù)采用FinFET技術(shù)而取得了55%的良率。
如此或許能理解臺積電如今繼續(xù)以第一代EUV光刻機研發(fā)2納米工藝的考慮，2納米EUV光刻機或許也存在一些技術(shù)問題，臺積電坐視Intel搶到最多的2納米EUV光刻機，或許也看著Intel先嘗試這一代EUV光刻機的技術(shù)，等看清技術(shù)問題后再引進(jìn)生產(chǎn)2納米，如此即使臺積電第一代2納米工藝技術(shù)水平不夠優(yōu)秀但是在良率方面有足夠競爭力就能確保技術(shù)優(yōu)勢。
經(jīng)歷了3納米良率偏低的教訓(xùn)，以及此前7納米以及GAA技術(shù)的困難，臺積電可能更趨于保守了，不愿過于冒進(jìn)地采用先進(jìn)技術(shù)，而優(yōu)先考慮良率問題，摸清各種技術(shù)難題再全面引進(jìn)多種新技術(shù)，最終成為最后的贏家。
