ASML 高數值孔徑 High NA EUV 光刻機實現“初次曝光”
2 月 28 日消息，英特爾技術開發負責人 Ann Kelleher 在周二于圣何塞舉行的 SPIE 光刻會議上提到他們已經在 ASML 新型高數值孔徑 (High NA) EUV 光刻機上實現了“初次曝光”里程碑，而 ASML 也進行了證實，并表示接下來將繼續測試和調整該系統，使其能夠發揮其全部性能。
那么問題來了，“初次曝光”是什么意思呢？“初次曝光”即是指光刻系統首次成功將光線圖案投射到晶圓上。這標志著該光刻系統已經完成了基本功能驗證，可以開始進行進一步的測試。
該進展有何重要意義？高數值孔徑 EUV 光刻系統被認為是下一代芯片制造的關鍵技術之一。它能夠在更小的芯片上蝕刻更精細的電路，從而使芯片能夠變得更加強大和節能。
ASML 成功實現“初次曝光”意味著該公司的這項關鍵技術取得了重大進展。這將有利于加速下一代芯片的研發進程。
ASML 本月初展示了其下一代高數值孔徑極紫外 (EUV) 光刻機，還透露其 High-NA Twinscan EXE 光刻機的價格約為 3.5 億歐元（備注：當前約 27.37 億元人民幣）。
相比之下，現有的 EUV 光刻機價格約為 1.7 億歐元（當前約 13.29 億元人民幣），當然具體價格要取決于具體型號和配置。
ASML 表示，該公司截至目前已收到包括英特爾和 SK 海力士在內數家公司的“10 到 20”個訂單，并計劃到 2028 年每年生產 20 臺。
就目前已知信息，包括臺積電和三星在內的各大先進芯片制造商都將在未來五年內引入該設備，英特爾上周表示他們計劃將其用于 Intel 14A 節點的生產。
ASML 的 High-NA Twinscan EXE 光刻機代表了該公司技術的巔峰，每臺設備重達 150 噸，相當于兩架空客 A320 客機，需要 250 個集裝箱運輸，運到客戶手里后還要再由 250 名工程師花費六個月的時間組裝。
現有世界上第一臺高數值孔徑設備位于荷蘭埃森?利特菲爾德實驗室，第二臺則正在美國俄勒岡州希爾斯 boro 附近的一家英特爾工廠進行組裝。
