為對抗三星、SK 海力士，傳日本鎧俠將砸1182億新建3D NAND Flash廠

據(jù)日媒工業(yè)新聞報導，為了應對三星、SK 海力士等對手，以及云服務、5G帶來的NAND Flash需求激增，傳聞鎧俠（Kioxia，前東芝半導體）計劃在日本巖手縣北上市工廠興建3D NAND Flash新廠房，總投資額預估高達2兆日元（約合人民幣1182億元）。

報導指出，鎧俠計劃在北上工廠新設的第二廠房K2大小預估將達2020上半年開始進行生產(chǎn)的第一廠房K1的2倍。鎧俠目前已對鄰近K1東側(cè)及北側(cè)約15萬平方公尺的土地進行整地工程，且也正協(xié)商有意取得鄰近K1東南側(cè)的土地，K2預計2022年春天動工興建，2023年春天左右完工，數(shù)個月后開始生產(chǎn)3D NAND Flash。

據(jù)報導，K2所需的生產(chǎn)設備主要將從四日市工廠轉(zhuǎn)移過來，因此總額2兆日元的投資，除了含K2廠房、附帶設施，也含設備補充四日市工廠的費用。對K2生產(chǎn)設備投資照舊，會和合作伙伴西部數(shù)據(jù)（Western Digital，WD）共同負擔。

報導指出，因產(chǎn)品市況尚未恢復，因此鎧俠IPO（首次公開發(fā)行）計劃將較原先規(guī)劃推延，最快將等到2021年夏天以后。