眾所周知，過去幾十年以來，芯片制造工藝，主要是光刻工藝。利用光線，將芯片電路圖，投影到硅晶圓片上，中間最核心的設(shè)備，就是光刻機。
同時光刻技術(shù)，就直接定義了芯片工藝，直接決定芯片的制程水平和性能水平。
而光刻機這種設(shè)備，集成了物理學(xué)、光學(xué)、精密儀器、高分子物理與化學(xué)、數(shù)學(xué)、材料、自動控制、流體力學(xué)、高精度環(huán)境控制、軟件等40多個學(xué)科。
所以目前全球能夠制造光刻機的廠商，經(jīng)大浪淘沙之后，就只有四家，分別是ASML、尼康、佳能、上海微電子。其中ASML處于壟斷地位，占了90%的份額。
而光刻機的發(fā)展，主要從三個方面，第一是光線的波長，波長越短，技術(shù)越先進，所以早期是435nm（G-線）、365nm（I-線），后面發(fā)展到248nm（深紫外，DUV）、193nm（ArF，干式和水浸沒式），以及現(xiàn)在的13.5nm（極紫外，EUV）。
而確定了光源之后，第二個方面，則是增大投影光刻物鏡的數(shù)值孔徑NA，因為NA越大，通過透鏡的光線越多，能量越高，越能有效的控制，分辨率也就越高。
第三個方面，則是減小光刻工藝因子，這個算是系統(tǒng)的一種工藝參數(shù)，和光源、系統(tǒng)有很大關(guān)系。
目前最先進的EUV光刻機，光源是13.5nm波長，而NA達到了0.55，要再提升非常難，就算能提升，成本也會非常高。
同時工藝因子達到了0.25，也是理論上的極限，要突破更難，所以EUV光刻機，要再提升，很困難了。
所以這也是為何之前ASML稱，EUV光刻機或難以再提升了，原因就在此，因為NA、光刻工藝因子，都達到極限了。
所以接下來，要想讓光刻機前進，其實還是在光源的波長上，但大家都清楚，一旦波長變化，那么光刻機就換代了。
之前從G線到I線，到KrF，到ArF，再到EUV，第一代的升級，其實就是光源的升級，然后不同的光源升級后，帶動NA變化，光刻工藝因子變化。
那么13.5nm之后，波長能變到多少呢？科學(xué)家們，提出了一種新的方案，叫做BEUV技術(shù)。
這個技術(shù)，是采用6.X nm的光源，它比EUV上采用的13.5nm波長更短，這樣分辨率更高，同時還有焦深DoF，能夠帶來更大的工藝容忍度。
采用6.Xnm波長后，NA的數(shù)值、光刻工藝因子，也可以重新升級，然后實現(xiàn)新一輪的變化。
按照科學(xué)家們的預(yù)測，到2035年后，EUV光刻機應(yīng)該會被BEUV光刻機替代掉，因為到時候的芯片工藝將低于1nm，只有BEUV光刻機，才能勝任了。
過去，我們在光刻機技術(shù)上一直落后于全球領(lǐng)先水平，那么當(dāng)BEUV技術(shù)來臨時，我們能不能趕緊提前布局，別讓其它企業(yè)搶先捆綁住供應(yīng)鏈，這樣我們追上全球水平，讓光刻機再也卡不住我們的脖子呢，就只有拭目以待了。
