ASML 將于今年推出透光率超 90% 的 EUV 防護膜，提高光刻機效率

目前最前沿的手機、電腦芯片多使用 EUV 極紫外光進行刻蝕，但是這種光線難以被反射和折射，制造過程中損耗率非常大。根據外媒 TheElec 消息，ASML 將于今年開始為光刻機提供新型 EUV 防護膜，透光率可達 90.6%，目前即將開始生產。

外媒表示，此種防護膜主要用于安裝在 EUV 光路和晶圓制造空間之間，用于防塵。此前的防護膜透光率僅有 78%，然而一片的價格高達 26000 美元（約 16.74 萬元人民幣）。三星和臺積電目前為了生產效率，沒有使用這種防護膜，盡管這會提高晶圓表面被污染的風險。這兩家代工廠此前表示，他們需要透光率超過 90% 的防護膜，才會考慮應用到生產線上。

ASML 宣布此款 EUV 防護膜能夠承受 400W 的功率，將由日本廠商三井化學制造。