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              從0.5微米到28納米!探尋國產離子注入機的逆襲之路

              2024-04-11 來源:賢集網
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              關鍵詞: 光刻機 芯片 集成電路

              提起離子注入機,熟悉集成電路的人都知道,該設備與光刻機、刻蝕機、鍍膜機并稱為芯片制造的“四大核心裝備”,其高端市場長期被國外壟斷。

              20多年前,為突破集成電路裝備自主創新的堵點卡點,中國電科所屬中電科電子裝備集團第四十八研究所組建研發團隊,走上離子注入機科研攻關之路。今年年初,“中國電科實現國產離子注入機28納米工藝全覆蓋”入選“2023年度央企十大國之重器”。


              離子注入機與芯片制造



              上個世紀40年代初,核物理領域的粒子加速器經過改良,相對轉變為離子注入機形態。到了1960年以后,美國HVE公司與硅谷仙童公司聯手,正式開始打造商用的離子注入機。由此,半導體制造與發展的齒輪開始飛速轉動。

              在集成電路制造行業里,離子注入機屬于跟光刻機等設備環環相扣的四大核心之首。這舉足輕重的離子注入機,則承載著給純凈硅摻入各類元素改變材料電性能的重要使命。熟練掌握核心技術的老美,早就給離子注入機賦予了芯片的電學性能,還奠定了其市場規模。無論是占據主流的低能大束流離子注入機,還是中束流與高能離子注入機,他們的價值一直都處于技術與價值的雙重飛升階段。

              進入千禧年之后,為了滿足我國集成電路飛速發展的現實需求,中國電科果斷成立了技術團隊,準備集中攻克離子注入機的摻雜工藝,與其他模塊的核心技術。面對完全陌生的離子注入機類型,以及注入硅晶體的摻雜劑劑量,攻關團隊選擇從100納米的樣機入手。大家廢寢忘食,夜以繼日地討論離子注入機的空間設計和一眾復雜細節。

              盡管這方面的經驗一窮二白、實驗裝置也寥寥無幾,工程師們還是默契地頂著重壓盡快熟悉了它的全部構造,為后續研發打下堅實基礎。直到2005年,屬于光路、控制、軟件模塊的核心技術被研發團隊相繼破解。不僅如此,他們還徹底掌握了離子注入機摻雜工藝的精度控制范圍。同時,中科團隊也自主完成了國產樣機的設計方案。隨后不久,第一臺全國產化的離子注入機便成功問世。


              28納米的技術全覆蓋



              從樣機到市場,其間路途漫漫?!肮δ芎椭笜酥皇沁M入市場的第一道門檻。要得到用戶認可,嚴苛的工藝驗證才是真正的考驗?!迸砹⒉ㄕf?;貞浧鹂简灥钠D辛,爍科中科信研發工程中心總監陳輝至今仍“心有余悸”。2012年底,研發團隊成功研制出28納米中束流離子注入機,陳輝帶著設備進駐用戶單位。按規定,要在兩年內完成產線工藝驗證。實際上,除去大規模量產前的穩定性驗證和試投產,真正留給工藝驗證的時間只有一年左右。

              離子注入機完成一輪驗證就需要近3個月,而且其過程像“開盲盒”。只有把所有工序走完,對成品進行電性測量后,才知道離子注入質量如何。一旦驗證結果不合格,就要調出整個注入過程中所有的參數,逐一檢查比對,找到問題,然后修正。

              此前,研發團隊已成功交付90至65納米離子注入機,在回溯調查、工藝處理方面積累了豐富經驗。但28納米工藝對注入劑量、角度、能量等技術參數更敏感,對精度要求更高,由此帶來許多新問題,需要一點點摸索?!暗谝惠嗱炞C,沒有完全成功?!标愝x說。他和同事回溯、修正,線上、線下試驗,再等3個月出產品,又測一輪,仍未成功。

              對于2013年的夏天,陳輝迄今難以忘懷。除了40攝氏度的持續高溫,連續失敗更令他備受煎熬。用戶也承受了巨大壓力,乃至發出最后通牒:“再不行就把設備搬走!”第三輪驗證被陳輝形容為“破釜沉舟”。他們對設備進行軟硬件升級,把此前出過問題的環節全部重試一遍,確保無誤之后才開始驗證。

              這一輪驗證雖然花費了更多時間,但終于達到了用戶的要求,同時也獲得了他們的信任。全部驗證流程完成后,用戶如約采購了這臺設備,并對此后采購的同類設備簡化了驗證流程。


              多點開花打造國之重器



              完成28納米中束流離子注入機工藝驗證后,研發團隊于2017年全面鋪開大束流離子注入機研發。他們要在產品譜系上“多點開花”。

              中束流與大束流離子注入機,分別應用在芯片制造的不同環節,適用于不同工藝需求。二者各有所長,缺一不可。“簡單說,芯片核心計算部位的‘精細活’由中束流機型做;芯片外圍引腳之類的‘粗活’由大束流機型做?!迸砹⒉ù虮确降?,這樣的配合既能提高效率,又能降低成本。

              有了中束流設備的研制經驗,大束流設備研制一路“高歌猛進”——2018年實現樣機設計,2019年完成樣機裝配及調試,2020年交付用戶,2021年底開始工藝驗證。

              但驗證過程并沒有想象中順利,研發團隊經歷了又一次刻骨銘心的爬坡過坎?!皫缀跛兄笜硕歼_到了期望值,就在我們以為勝利在望時,某一元素的離子注入劑量被檢測出偏差過大?!标愝x說。為了找出問題的原因,研發團隊不得不從設計源頭重溯——這相當于從頭再來。他們每天24小時守在實驗室里,開展大量仿真實驗和工藝驗證。就這樣連續奮戰了兩個多月,終于使劑量偏差精度達到國際先進水平。

              隨著時間的推移,器件研制能力持續增強,軟件系統不斷迭代升級,工藝精度穩步提升……2023年,研發團隊成功實現全系列離子注入機28納米工藝全覆蓋。

              國產芯片制造核心裝備的新突破不僅僅是技術上的勝利,更是我國創新驅動發展戰略的重要成果。通過這次突破,我們不僅填補了國內在芯片制造領域的空白,還為我國未來科技創新提供了堅實的基礎。隨著國產芯片制造核心裝備的突破,我國芯片產業的整體實力將得到進一步提升。這將對全球芯片行業的競爭格局產生深遠影響。我國企業有望在全球市場上獲得更多話語權,提高自身的核心競爭力。



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