SK海力士計劃投資超1000億擴產(chǎn)，HBM芯片再度成為市場風口

SK海力士公司正式宣布，為應對全球范圍內快速增長的AI需求，公司計劃投資超過1000億元人民幣，擴大包括HBM在內的下一代DRAM的產(chǎn)能。

據(jù)了解，SK海力士已通過董事會決議，將位于韓國忠清北道清州市的M15X晶圓廠定為新的DRAM生產(chǎn)基地。公司將投資約5.3萬億韓元（約合279.84億元人民幣）用于廠房建設，并計劃于本月底啟動建設工程。

此次擴產(chǎn)計劃并非一蹴而就，SK海力士已做好長遠規(guī)劃。隨著設備投資計劃的逐步增加，新生產(chǎn)基地建設的總投資額預計將長期超過20萬億韓元（約合1056億元人民幣）。公司表示，這將有助于進一步擴充產(chǎn)能，以滿足AI應用對存儲器的不斷增長的需求。

SK海力士作為全球AI應用存儲器領域的領先者，深刻認識到DRAM市場已進入中長期增長時代。特別是HBM等高性能DRAM產(chǎn)品，預計年均增長率將高達60%以上。為了確保HBM產(chǎn)品的產(chǎn)量達到與普通DRAM相同的水平，公司需要至少兩倍于普通DRAM的生產(chǎn)能力。因此，提高以HBM為主的DRAM產(chǎn)能成為公司當前的首要任務。

在選擇M15X作為新的生產(chǎn)基地時，SK海力士充分考慮了地理位置優(yōu)勢。M15X廠與正在擴充TSV生產(chǎn)能力的M15廠相鄰，這將有助于優(yōu)化HBM的生產(chǎn)流程，提高生產(chǎn)效率。此外，公司還將繼續(xù)推進龍仁半導體集群等韓國國內的投資計劃，以進一步鞏固和提升公司在全球半導體市場的地位。

SK海力士的此次擴產(chǎn)計劃不僅有助于公司應對AI時代的挑戰(zhàn)，更將對韓國經(jīng)濟產(chǎn)生積極影響。作為SK集團的重要組成部分，SK海力士在韓國的持續(xù)投資已為當?shù)亟?jīng)濟發(fā)展做出了顯著貢獻。隨著M15X和龍仁半導體集群等項目的推進，韓國有望成為全球AI半導體強國，進一步激發(fā)國家經(jīng)濟的活力。

SK海力士CEO郭魯正表示：“M15X將成為向全世界提供AI應用存儲器的核心設施，也是公司邁向未來的墊腳石。我確信此次投資不僅有助于公司的發(fā)展，還將對國家經(jīng)濟的未來發(fā)展做出貢獻。”SK海力士將繼續(xù)關注市場動態(tài)和技術發(fā)展趨勢，加大研發(fā)投入，不斷優(yōu)化產(chǎn)品結構和生產(chǎn)流程。同時，公司也將積極拓展全球市場，與合作伙伴共同推動半導體產(chǎn)業(yè)的繁榮發(fā)展。

SK海力士一季度業(yè)績超預期

在全球半導體市場持續(xù)復蘇的大背景下，SK海力士近日發(fā)布的2024財年第一季度財務報告顯示，公司業(yè)績遠超市場預期，收入和凈利潤均創(chuàng)下歷史新高，標志著公司開始全面轉向復蘇期。

據(jù)財報顯示，SK海力士在2024財年第一季度的合并收入為12.4296萬億韓元，同比增長了驚人的144%，環(huán)比也實現(xiàn)了顯著增長。更為值得一提的是，公司的營業(yè)利潤達到了2.8860萬億韓元，同比扭虧為盈，環(huán)比增長更是高達734%，遠超分析師的預期。凈利潤也達到了1.9170萬億韓元，成功實現(xiàn)了同比扭虧為盈。

這一業(yè)績的取得，主要得益于SK海力士在AI應用存儲器領域的卓越競爭力。公司憑借其領先的HBM存儲系統(tǒng)技術，成功提升了面向AI服務器的產(chǎn)品銷量，從而實現(xiàn)了業(yè)績的大幅增長。此外，公司還積極擴大HBM3E芯片的供應，并成功與臺積電簽署HBM4開發(fā)協(xié)議，進一步鞏固了其在高帶寬存儲器市場的領先地位。

同時，SK海力士還持續(xù)優(yōu)化NAND閃存產(chǎn)品，隨著高端eSSD產(chǎn)品銷售比重的提升以及平均售價的上升，成功實現(xiàn)了扭虧為盈。這一業(yè)績的改善，不僅提升了公司的整體盈利水平，也為公司的未來發(fā)展奠定了堅實的基礎。

SK海力士對AI存儲器市場的增長趨勢充滿信心。公司認為，隨著AI技術的不斷發(fā)展，面向AI的存儲器需求將持續(xù)增長。同時，普通DRAM產(chǎn)品的需求也將從下半年開始恢復，從而推動半導體存儲器市場呈現(xiàn)穩(wěn)定的增長趨勢。

為了適應市場需求的增長趨勢，SK海力士計劃進一步擴大產(chǎn)能。公司宣布將投資超過原計劃，以加速建設新的生產(chǎn)基地，并推進中長期投資項目。這一舉措將有助于公司提高生產(chǎn)效率，降低成本，進一步提升市場競爭力。

此外，SK海力士還將繼續(xù)加大研發(fā)投入，推動技術創(chuàng)新和產(chǎn)品升級。公司將以市場需求為導向，不斷優(yōu)化產(chǎn)品結構，提升產(chǎn)品性能和質量，以滿足客戶不斷變化的需求。

SK海力士在2024財年第一季度的業(yè)績表現(xiàn)令人矚目，不僅遠超市場預期，也為公司的未來發(fā)展奠定了堅實的基礎。隨著全球半導體市場的持續(xù)復蘇和AI技術的快速發(fā)展，SK海力士將繼續(xù)保持強勁的增長勢頭，開啟全面復蘇的新篇章。

HBM芯片再度成為市場風口

在科技飛速發(fā)展的今天，高性能計算、人工智能和圖形處理等領域對內存帶寬的需求日益增長。近日，高帶寬存儲器（HBM）芯片再度成為市場風口，其傳輸速度更快、容量更大的特性，使得它成為解決大規(guī)模數(shù)據(jù)并行處理問題的關鍵技術之一。

HBM芯片通過將一系列DRAM芯片垂直整合成堆疊式結構，每層之間通過硅互連進行通信，實現(xiàn)了較大容量和更高帶寬的特性。與傳統(tǒng)的GDDR相比，HBM具有更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，能夠滿足現(xiàn)代計算應用對內存性能的苛刻要求。

近年來，隨著HBM技術的不斷發(fā)展，已經(jīng)推出了從HBM到HBM3E的多個版本。其中，最新的HBM3E是HBM3的擴展版本，其帶寬可超過1TB/s，為人工智能等領域的計算提供了強大的支持。英偉達等科技巨頭對HBM技術寄予厚望，紛紛與芯片大廠簽訂大額訂單，以應對日益增長的計算需求。

此外，三星、海力士和美光等存儲巨頭也在HBM領域展開了激烈的競爭。他們紛紛加大研發(fā)投入，加速推進HBM產(chǎn)品的升級換代。據(jù)悉，三星已經(jīng)完成了16層混合鍵合HBM內存技術的驗證，制造出了工作正常的16層堆疊HBM3內存樣品。海力士則在HBM市場上占據(jù)了領先地位，預計未來幾年其在HBM領域的銷售額將實現(xiàn)顯著增長。

高盛等投資機構也對HBM市場的前景表示樂觀。他們認為，由于生成式人工智能的需求推動AI服務器出貨量的增加以及每個GPU中HBM密度的提高，HBM市場的總規(guī)模將在未來幾年內實現(xiàn)爆炸式增長。預計從2022年到2026年，HBM市場的復合年增長率將達到驚人的77%，市場規(guī)模將從23億美元增長至230億美元。

在市場需求不斷增長的推動下，HBM芯片的供應也呈現(xiàn)出緊張態(tài)勢。三星、海力士和美光三大原廠在HBM市場上占據(jù)了主導地位，他們正積極擴產(chǎn)以滿足市場需求。此外，這些企業(yè)還在加速推進下一代產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)，以獲取先發(fā)優(yōu)勢。

HBM芯片的再度成為風口，不僅體現(xiàn)了其在高性能計算、人工智能等領域的重要地位，也預示著半導體產(chǎn)業(yè)將迎來新一輪的技術革新和市場競爭。隨著HBM技術的不斷進步和應用領域的拓展，它將為科技產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展注入強大的動力。