消息稱三星明年推出第 10 代 NAND：三重堆疊技術(shù)，最高 430 層

4 月 28 日消息，三星半導(dǎo)體日前宣布量產(chǎn)第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品，位密度（bit density）比上一代產(chǎn)品提高約 50%，通過通道孔蝕刻技術(shù)（channel hole etching）提高生產(chǎn)效率。

第九代 V-NAND 采用雙重堆疊技術(shù)，在旗艦 V8 閃存的 236 層基礎(chǔ)上，再次達到了 290 層，主要面向大型企業(yè)服務(wù)器以及人工智能和云設(shè)備。

而業(yè)內(nèi)消息稱三星計劃明年推出第 10 代 NAND 芯片，采用三重堆疊技術(shù)，達到 430 層，進一步提高 NAND 的密度，并鞏固和擴大其領(lǐng)先優(yōu)勢。

市場研究公司 Omdia 預(yù)計，NAND 閃存市場在 2023 年下降 37.7% 后，預(yù)計今年將增長 38.1%。為了在快速增長的市場中占據(jù)一席之地，三星誓言要大力投資 NAND 業(yè)務(wù)。

IT之家此前報道，三星高管表示，該公司的目標是到 2030 年開發(fā)超過 1000 層的 NAND 芯片，以實現(xiàn)更高的密度和存儲能力。