HBM3e 今年將成主流，產能擠占將導致下半年 DRAM 供不應求

業內消息稱三星、SK 海力士和美光都在積極投資高帶寬內存（HBM），而由于產能擠占效應，下半年 DRAM 產品可能會面臨短缺。

集邦咨詢在報告中認為，三大 DRAM 供應商正在增加先進工藝的晶圓投入。隨著存儲器合同價格的上漲，各公司都加大了資本投資力度，今年下半年將重點擴大產能，預計到今年年底，1α nm 及以上工藝的晶圓投入量將占 DRAM 晶圓總投入量的約 40%。

由于 HBM 的盈利能力和不斷增長的需求，廠商優先考慮生產 HBM，HBM3e 將成為今年的市場主流，出貨量將集中在下半年。

由于 HBM3e 的出貨量預計將集中在下半年，恰逢內存需求旺季，市場對 DDR5 和 LPDDR5 (X) 的需求預計也將增加。

由于分配給 HBM 生產的晶圓投入比例較高，先進工藝的產出將受到限制。因此，下半年的產能分配將是決定供應能否滿足需求的關鍵。

簡要匯總下廠商情況如下：三星預計現有設施將于 2024 年底全部滿負荷運轉，新的 P4L 工廠預計將于 2025 年竣工，而 15 號生產線工廠將從 1Y 納米過渡到 1beta 納米及以上的工藝。

SK 海力士計劃明年擴大 M16 工廠的產能，而 M15X 工廠也計劃于 2025 年竣工，并于明年年底開始量產。

各主要制造商都將投資 HBM4 的開發，在產能規劃中優先考慮 HBM。因此，由于產能擁擠效應，DRAM 供應可能會出現短缺。