中國先進芯片取得突破，臺積電突獲無限期豁免，美國圖謀壓制中國芯

5月23日臺積電突然宣布，美國商務部已給予臺積電南京工廠“無限期豁免”，即是允許臺積電南京工廠購買海外的先進光刻機等設備，此舉被認為意在壓制中國芯片。

2020年臺積電被迫暫停為中國一家芯片企業代工生產芯片，從那之后多家中國芯片企業無法將芯片交給臺積電以7納米以及更先進工藝生產。

3年后的2023年中國這家芯片企業成功生產出接近7納米工藝的5G芯片，重新推出5G手機，這意味著中國芯片已解決了先進工藝的技術問題，以現有的光刻機生產出接近7納米的工藝。

如此美國試圖壓制中國先進芯片的發展已經失敗，面對中國芯片的發展，美國允許臺積電南京工廠購買先進光刻機等設備，無疑就是為了借臺積電之手，壓制中國芯片制造技術的發展。

臺積電擁有最先進的工藝，目前已經量產3納米，但是此前臺積電南京工廠的最先進工藝僅為16納米，遠比臺積電在中國臺灣的工廠落后，如此就導致中國的芯片企業大多將訂單交給中國大陸的芯片制造企業。

中國大陸的芯片制造企業獲得了更多收入，就有了更多資金研發先進工藝，這幾年中國的芯片制造企業從全球獵挖人才，其中臺積電前技術負責人梁孟松就已在中芯國際擔任聯席CEO，加快了中國芯片制造技術的發展。

此時美國允許臺積電南京工廠購買先進光刻機等設備，臺積電南京工廠可望迅速量產7納米等先進工藝，由于臺積電的7納米工藝更成熟、技術更先進，如此可以搶走中國大陸芯片企業的訂單，減緩中國芯片制造技術的發展。

如此做法，在存儲芯片行業就曾做過，并取得了成功。2022年中國的存儲芯片率先量產了全球最先進的232層NAND flash，隨后美國限制這些存儲芯片企業采購先進設備，同時允許三星和SK海力士在中國大陸的工廠采購先進設備。

一年時間過去，2023年三星和SK海力士量產了更先進的300層NAND flash芯片，而中國的存儲芯片還停留在232層，由此三星、SK海力士和美光等取得了存儲芯片的技術優勢，而且他們本來就在存儲芯片市場占有七成以上的份額，技術和市場的雙重壓制，讓中國存儲芯片承受了巨大的壓力。

如今在芯片制造方面，美國的做法無疑是故技重施，即是讓臺積電在中國大陸的工廠量產更先進的工藝，搶走中國芯片的訂單，讓中國大陸的芯片企業獲得的收入減少，自然就會放緩芯片制造技術的發展。

不過有了此前的教訓，美國的圖謀恐怕很難實現，中國芯片行業已深刻認識到臺積電的不可靠，只有中國大陸自己的芯片制造企業才更可信，即使臺積電南京工廠量產更先進的工藝，恐怕臺積電也很難取得太多的訂單，中國的芯片企業只會更加齊心協力，共同發展。