華為很清醒:別想3nm、5nm,目前7nm工藝對(duì)中國(guó)芯最重要
目前最強(qiáng)的芯片工藝,是臺(tái)積電、三星的3nm。而按照計(jì)劃,明年臺(tái)積電、三星,以及英特爾,會(huì)進(jìn)入2nm工藝。
在這樣的背景之下,很多網(wǎng)友總覺(jué)得,我們和臺(tái)積電、三星等落后太遠(yuǎn),我們需要快速追上,也達(dá)到3nm、2nm這樣的工藝,否則就是落后了。
也在這樣的背景之下,各種真假消息不斷的傳出,一下子說(shuō)某某晶圓廠,已經(jīng)搞定了5nm,馬上就是3nm,又是說(shuō)華為下一步就是3nm……

近日,華為常務(wù)董事張平安,公開(kāi)發(fā)言稱,我們肯定是得不到3nm,肯定得不到5nm,我們能解決7nm就非常非常好。
這句話是什么意思?其實(shí)意思就是,目前的外部形勢(shì)之下,其實(shí)我們短時(shí)間之內(nèi),是搞不定了3nm,搞定不了5nm的,能搞定7nm就不錯(cuò)了。
另外,他還說(shuō)了更為關(guān)鍵的一段話,但這句話,很多人忽略了,只關(guān)注他說(shuō)的3nm、5nm、7nm去了,他是這么說(shuō)的:“中國(guó)創(chuàng)新的方向就必須要依托于我們芯片能力的方向,我們的創(chuàng)新方向不能在單點(diǎn)的芯片工藝上,我們的創(chuàng)新方向應(yīng)該在系統(tǒng)架構(gòu)上。”

這一段話,點(diǎn)明了我們目前芯片工藝前進(jìn)的方向,那就是要基于我們當(dāng)前的真實(shí)技術(shù)水平來(lái)努力,這個(gè)真實(shí)水平指的就是最多7nm,而不是5nm、3nm。
如何在7nm工藝上努力?那就是在系統(tǒng)架構(gòu)上去努力,爭(zhēng)取將7nm工藝做到5nm,甚至3nm的水平,這個(gè)才是我們芯片前進(jìn)的方向,而不是一味的追求什么5nm、3nm、2nm……

我們知道,自芯片進(jìn)入28nm工藝之后,芯片的XX納米,其實(shí)代表的已經(jīng)不是真實(shí)的工藝水準(zhǔn)了,這個(gè)XX納米和柵極寬度,金屬半間距等,已經(jīng)沒(méi)有關(guān)系了。
這個(gè)XX納米已經(jīng)是一種等效法,即它等效于XX納米。
舉個(gè)例子說(shuō)明,我在10nm工藝上,進(jìn)行了技術(shù)、架構(gòu)、設(shè)計(jì)的改進(jìn)后,芯片制造工藝其實(shí)還是10nm,但我這么一調(diào)整后,芯片性能提升了20%,降低了20%等,這種工藝,可以認(rèn)為是10nm的下一代,也就是7nm的,這個(gè)7nm并不是真的7nm,而是等效7nm。

所以在7nm芯片的基礎(chǔ)之上,我們可以進(jìn)行架構(gòu)、設(shè)計(jì)、技術(shù)等的調(diào)整,肯定是能夠?qū)崿F(xiàn)5nm甚至3nm這樣的性能的,這也稱之為等效工藝。
華為其實(shí)就是告訴我們,現(xiàn)在不是卷5nm、3nm的時(shí)候,且基于當(dāng)前的外部形勢(shì),我們也卷不動(dòng),根本就獲取不到設(shè)備,比如EUV光刻機(jī),你有辦法么?
在這樣的情況之下,大家要實(shí)事求是,基于自己現(xiàn)有的技術(shù)來(lái)創(chuàng)新,來(lái)調(diào)整方面,而不是跟著別人走,覺(jué)得臺(tái)積電、三星怎么搞,我們就要怎么搞。
- 足產(chǎn)業(yè)核心,擘畫(huà)未來(lái)新篇:華強(qiáng)電子網(wǎng)喬遷新址03-02
- 硅谷機(jī)器人明星公司K-Scale Labs猝死,融資600多萬(wàn)美元一年燒光!11-14
- 荷蘭高級(jí)代表團(tuán)下周訪華,共商安世半導(dǎo)體問(wèn)題解決方案11-14
- 因過(guò)熱和起火風(fēng)險(xiǎn),特斯拉大規(guī)模召回10500套Powerwall 211-14
- 立中集團(tuán)又獲3客戶項(xiàng)目定點(diǎn),合計(jì)金額約2.7億元11-14
- 蘇州固锝:含銀量10%的銀包銅產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段11-14