華虹半導(dǎo)體宣布量產(chǎn)90nm BCD工藝：性能高、核心面積小

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體廠商正在一步步追趕國(guó)際先進(jìn)水平，日前華虹半導(dǎo)體宣布，該公司推出的90nm BCD工藝已經(jīng)在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

華虹指出，90nm BCD工藝具備性能高、核心面積較小等優(yōu)勢(shì)，擁有更佳的電性參數(shù)，并且得益于12英寸制程的穩(wěn)定性，良率優(yōu)異，為數(shù)字電源、數(shù)字音頻功放等芯片應(yīng)用提供了更具競(jìng)爭(zhēng)力的制造方案。

90nm BCD工藝還是先進(jìn)工藝？對(duì)不了解半導(dǎo)體工藝的人來(lái)說(shuō)可能真有這個(gè)疑問(wèn)，這個(gè)新工藝的重點(diǎn)是BCD——BIPOLAR-CMOS-DMOS，是ST意法半導(dǎo)體在80年代發(fā)明的功率芯片技術(shù)。

BCD是一種復(fù)雜的硅芯片制造工藝，每種BCD工藝都具備在同一顆芯片上成功整合三種不同制造技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，包括用于高精度處理模擬信號(hào)的雙極晶體管，用于設(shè)計(jì)數(shù)字控制電路的CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和用于開發(fā)電源和高壓開關(guān)器件的DMOS（雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）。

ST意法目前依然是全球領(lǐng)先的BCD工藝制造商，35年來(lái)生產(chǎn)了500萬(wàn)片晶圓，售出400億顆芯片，僅2020年就售出近30億顆芯片，工藝發(fā)展了十代了，此前主要是350nm、180nm、110nm等，最新量產(chǎn)的十代工藝也是90nm BCD。

從這一點(diǎn)上來(lái)看，華虹的90nm BCD工藝確實(shí)是該領(lǐng)域的先進(jìn)工藝，技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，而中芯國(guó)際等國(guó)內(nèi)其他代工廠也在開發(fā)90nm BCD工藝，華虹的進(jìn)度也是領(lǐng)先的。