三星宣布成功完成 8 納米 5G 射頻解決方案開發：功率效率提高 35%
三星官網今日發布消息稱，該公司已推出了基于 8 納米工藝的最新射頻技術。
三星表示，這一先進的工藝技術有望提供專門用于支持多通道和多天線芯片設計的 5G 通信“單芯片解決方案”。三星的 8 納米射頻平臺將把該公司在 5G 半導體市場的領導地位從 Sub-6GHz 頻段擴展至毫米波應用。
三星的 8 納米射頻工藝技術是對目前已經廣泛使用的包括 28 納米和 14 納米在內的射頻相關解決方案的最新補充。自 2017 年以來，三星為高端智能手機出貨了超過 5 億顆移動終端射頻芯片。
“通過卓越的創新和工藝制造，我們加強了我們的下一代無線通信產品。”三星電子代工技術開發團隊主管 Hyung Jin Lee 表示。“隨著 5G 毫米波的擴展，對于那些在緊湊型移動終端上尋求實現更長電池壽命和出色信號質量的客戶來說，三星 8 納米射頻將成為一個很好的解決方案。”
隨著向先進節點的不斷擴展，數字電路在性能、功耗和面積 (PPA) 方面得到了顯著改善，而模擬 / 射頻模塊由于退化寄生效應（例如窄線寬引起的電阻增加）而沒有得到這種改善。因此，大多數通信芯片趨向于出現射頻特性退化，例如接收頻率放大性能劣化和功耗增加。
為了克服模擬 / 射頻擴展方面的挑戰，三星開發了一種獨特的 8 納米射頻專用架構，名為 RFextremeFET (RFeFET)，可以顯著改善射頻特性，同時降低功耗。與 14 納米射頻相比，三星的 RFeFET 補充了數字 PPA 擴展，同時恢復了模擬 / 射頻擴展，從而實現了高性能 5G 平臺。
三星在新聞稿中寫道，三星的工藝優化最大限度地提高了通道移動性，同時最大限度地減少了寄生效應。由于 RFeFET 的性能大幅提升，射頻芯片的晶體管總數和模擬 / 射頻塊的面積可以實現減小。與 14 納米射頻相比，由于采用 RFeFET 架構創新，三星的 8 納米射頻工藝技術將功率效率提高了 35%，而射頻芯片面積減少了 35%。
