三星電子將從16層HBM開始逐步引入混合鍵合技術(shù)

三星電子預(yù)計將從16層高帶寬存儲器（HBM）開始逐步引入混合鍵合技術(shù)。

7月22日，在京畿道城南市韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會舉辦的“商用半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)研討會”上，三星電子DS部門半導(dǎo)體研究所下一代研究團(tuán)隊(duì)常務(wù)董事金大宇表示：“一旦HBM超過16層，現(xiàn)有的熱壓鍵合（TC）將無法實(shí)現(xiàn)”，并表示“我們正準(zhǔn)備從16層HBM開始引入混合鍵合”。

HBM是一種將多個DRAM垂直堆疊以提高數(shù)據(jù)處理速度的半導(dǎo)體。鍵合是連接DRAM的工藝，而TC鍵合機(jī)是該工藝中必不可少的HBM制造設(shè)備。

隨著下一代HBM層數(shù)的增加，需要努力縮小堆疊間隙。因此，混合鍵合的引入正在被討論中。混合鍵合是一種消除現(xiàn)有微凸塊（焊球）并將DRAM直接連接到銅的技術(shù)，其優(yōu)勢在于可以減少HBM的厚度。

三星電子表示，其將在16層的第7代HBM“HBM4E”中同時采用TC鍵合和混合鍵合技術(shù)，并將從20層的第8代HBM“HBM5”開始全面量產(chǎn)。

目前已商業(yè)化的最新HBM產(chǎn)品是第5代“HBM3E”，其堆疊層數(shù)最高可達(dá)12層。據(jù)推測，其將沿用現(xiàn)有技術(shù)，直至第6代HBM的16層“HBM4”，并從第 7 代產(chǎn)品開始逐步引入下一代技術(shù)。

金副社長表示：“如果間距小于15μm，我們將不得不轉(zhuǎn)向不使用焊料的混合鍵合技術(shù)”，并且“混合鍵合還具有散熱性好的優(yōu)勢，因此我們正在積極研究。”