應(yīng)用案例 | 打造高效耐用的負(fù)載板，助力半導(dǎo)體檢測(cè)行業(yè)

當(dāng)前，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)ATE測(cè)試機(jī)的需求愈發(fā)高漲，據(jù)ICV數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年中國集成電路自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模占據(jù)全球36.76%的市場(chǎng)份額，預(yù)計(jì)2025年該占比達(dá)到42.40%。（數(shù)據(jù)來源：https://www.jianshu.com/p/238f50af4bb1）

ATE測(cè)試機(jī)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位舉足輕重，可為無晶圓廠（fabless）提供原型測(cè)試驗(yàn)證服務(wù)。但是在設(shè)計(jì)應(yīng)用中，也面臨一些挑戰(zhàn)。如作為測(cè)試機(jī)和芯片“連接橋梁”的Loadboard（負(fù)載板），因早期信號(hào)繼電器或接觸不夠穩(wěn)定、發(fā)熱等問題而導(dǎo)致測(cè)試誤差，亟需高精度、高可靠性、高一致性的信號(hào)切換元件，以確保測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

上期案例，歐姆龍器件與模塊解決方案(以下簡(jiǎn)稱OMRON DMS)，通過MOS FET繼電器G3VM-WR，打造穩(wěn)定性強(qiáng)、壽命長(zhǎng)、高性能ATE測(cè)試機(jī)DPS功能板。

本期案例，OMRON DMS將通過G6K系列信號(hào)繼電器，講述如何打造高效集成、可靠耐用的ATE測(cè)試機(jī)Loadboard（負(fù)載板）。

G6K系列信號(hào)繼電器：

封裝面積小、薄型化節(jié)省電路板空間

G6K系列信號(hào)繼電器在ATE測(cè)試機(jī)Loadboard（負(fù)載板）的應(yīng)用中，可承擔(dān)測(cè)試信號(hào)切換與控制的作用，憑借強(qiáng)大的性能，幫助實(shí)現(xiàn)電路隔離與保護(hù)、模擬多樣化測(cè)試環(huán)境、適配高速測(cè)試需求、提升測(cè)試效率與自動(dòng)化水平等功能。

01 可靠接觸，確保精準(zhǔn)測(cè)試

芯片測(cè)試對(duì)信號(hào)完整性要求極高，早期繼電器接觸電阻不夠穩(wěn)定，有可能導(dǎo)致信號(hào)干擾、衰減，引發(fā)誤觸或邏輯錯(cuò)誤，干擾測(cè)試結(jié)果。

G6K系列信號(hào)繼電器可保障精準(zhǔn)測(cè)試。其采用銀合金雙橫桿觸點(diǎn)設(shè)計(jì)（低接觸電阻≤100mΩ），確保微小電流（μA級(jí)）的精確傳輸；動(dòng)作時(shí)間平均<2ms，提升測(cè)試準(zhǔn)確性；通過5000萬次機(jī)械壽命測(cè)試，長(zhǎng)期使用性能不衰減；實(shí)現(xiàn)線圈接點(diǎn)間耐高壓AC1,500V、且耐沖擊電壓可達(dá)1.5kV 10×160μs。

02 小型封裝，實(shí)現(xiàn)高密集成

當(dāng)前，火熱的GPU/AI芯片提出大量的計(jì)算需求，所以現(xiàn)在的Loadboard（負(fù)載板）需要集成數(shù)百或更多的測(cè)試通道，來驗(yàn)證芯片多信號(hào)通道下協(xié)同工作的穩(wěn)定性。而早期繼電器的體積過大，在Loadboard（負(fù)載板）有限的空間里，矛盾難以調(diào)和。

G6K系列信號(hào)繼電器采用超小型設(shè)計(jì)（高5.2mm×寬6.5mm×長(zhǎng)10mm，2.54mm Pitch），便于Loadboard（負(fù)載板）上集成更多繼電器數(shù)量，同時(shí)根據(jù)G6K不同封裝形態(tài)，近一步滿足多功能和多封裝的需求。

03 節(jié)能低溫，保障系統(tǒng)可靠

在傳統(tǒng)認(rèn)知里，高密度的繼電器陣列意味著高的發(fā)熱源，高溫所引發(fā)的Loadboard（負(fù)載板）上器件的溫漂問題、材料形變等，會(huì)直接影響信號(hào)的傳輸速率、精度等問題。

依靠“散熱”不如本身就不產(chǎn)生高熱量，G6K系列信號(hào)繼電器的線圈功耗僅100mW（同類較低水平），可減少整體熱負(fù)荷，避免熱膨脹引發(fā)的接觸偏移。

案例成果

助力客戶提高半導(dǎo)體測(cè)試效率和可靠性

我們正處于一個(gè)半導(dǎo)體芯片快速迭代的時(shí)刻，無晶圓廠（fabless）對(duì)高質(zhì)量、高效率的芯片測(cè)試需求也將愈發(fā)緊迫。

封裝面積更小、薄型化節(jié)省電路板空間的G6K系列信號(hào)繼電器，有高精度、高可靠性、高一致性、低功耗等核心優(yōu)勢(shì)，助力客戶提高半導(dǎo)體測(cè)試的效率和可靠性：

降低成本：減少誤判和復(fù)測(cè)次數(shù)，提升測(cè)試效率。

加速量產(chǎn)：高可靠性縮短設(shè)備維護(hù)周期。

更多選擇：通過LED與MOS FET芯片的組合實(shí)現(xiàn)了繼電器功能的MOS FET繼電器G3VM，可憑借小巧尺寸、長(zhǎng)壽命、穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻、低功耗等特性，同樣適用于Loadboard（負(fù)載板）應(yīng)用場(chǎng)景。

當(dāng)前，無論是AI智能終端、自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，還是國產(chǎn)替代的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，抑或是材料、光學(xué)、精密機(jī)械等協(xié)同創(chuàng)新的技術(shù)驅(qū)動(dòng)，都在為芯片快速迭代帶來紅利。

OMRON DMS希望通過可靠的產(chǎn)品品質(zhì)以及穩(wěn)定的供貨能力，與您共同推動(dòng)半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)的快速發(fā)展！