JSM2008STR PBF250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅(qū)動(dòng)芯片

一、產(chǎn)品概述

JSM2008STR 是一款專為高壓、高速功率 MOSFET 設(shè)計(jì)的高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片，采用高低壓兼容工藝實(shí)現(xiàn)單芯片集成，具備獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。其核心優(yōu)勢在于能通過浮動(dòng)通道驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá) 250V，完全滿足中高壓功率轉(zhuǎn)換場景的需求。

從實(shí)用性來看，芯片采用 SOP-8 封裝，體積小巧便于 PCB 布局，且能在 - 40℃至 125℃的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，無論是嚴(yán)寒的工業(yè)環(huán)境還是高溫的家電內(nèi)部，都能可靠運(yùn)行。更重要的是，其邏輯輸入電平兼容 3.3V、5V 和 15V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出，無需額外電平轉(zhuǎn)換電路，簡化了與控制芯片的接口設(shè)計(jì)。

 二、核心產(chǎn)品特性

1.高壓兼容與自舉設(shè)計(jì)：支持自舉工作的浮地通道，最高工作電壓 250V，Vs 負(fù)偏壓能力達(dá) - 9V，dVs/dt 耐受能力可達(dá) 50V/ns，適應(yīng)高壓瞬態(tài)環(huán)境。

2.邏輯與保護(hù)功能：兼容 3.3V、5V、15V 輸入邏輯；集成 VCC 欠壓鎖定電路（正向閾值 8.9V，負(fù)向閾值 8.2V），防止欠壓損壞；具備防止直通保護(hù)，死區(qū)時(shí)間典型值 520ns。

3.高速驅(qū)動(dòng)性能：開通 / 關(guān)斷傳輸延時(shí)（Ton/Toff）典型值為 650ns/130ns，延遲匹配時(shí)間 50ns，輸出級拉電流 / 灌電流能力達(dá) 300mA/600mA，驅(qū)動(dòng)響應(yīng)迅速。

4.寬溫與可靠性：工作溫度范圍 - 40℃~125℃，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，ESD 人體放電模式耐受 1500V，機(jī)器放電模式耐受 500V。

三、引腳功能描述

四、關(guān)鍵電氣規(guī)格

4.1極限工作范圍(環(huán)境溫度 25℃，以 Vss 為參考)

4.2 推薦工作范圍

4.3 動(dòng)態(tài)與靜態(tài)特性（VCC=VB=15V，TA=25℃）

五、應(yīng)用范圍

JSM2008STR 憑借優(yōu)異的性能，廣泛適用于：

• 家電領(lǐng)域：空調(diào)、洗衣機(jī)的電機(jī)控制，通過穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)速；

• 能源設(shè)備：不間斷電源（UPS）、通用逆變器，保障高壓功率轉(zhuǎn)換的高效與可靠；

• 工業(yè)驅(qū)動(dòng)：各類逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，滿足工業(yè)場景對高可靠性的需求。

作為 IRS2008STR 的完美替代方案，JSM2008STR 在引腳定義、封裝規(guī)格、電氣性能上完全兼容，無需修改 PCB 布局即可直接替換，大幅降低升級成本與開發(fā)周期。

總結(jié)

JSM2008STR 以 250V 高壓兼容、多重保護(hù)機(jī)制、高速驅(qū)動(dòng)性能和完善的設(shè)計(jì)支持，成為高壓半橋驅(qū)動(dòng)場景的優(yōu)選芯片。無論是新方案設(shè)計(jì)還是舊產(chǎn)品升級，它都能提供穩(wěn)定可靠的驅(qū)動(dòng)能力，助力工程師打造高效、安全的功率電子系統(tǒng)。如需更多技術(shù)細(xì)節(jié)，可訪問杰盛微半導(dǎo)體官網(wǎng)（www.jsmsemi.com）獲取完整數(shù)據(jù)手冊。

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