JSM2203STR 4A 250V集成自舉半橋高同低反柵極驅(qū)動(dòng)芯片

一、產(chǎn)品概述

JSM2203S是一款高壓、高速功率 MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。JSM2203S采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL 邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區(qū)邏輯。JSM2203S其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率 MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá)250V。JSM2203S采用SOP-8封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內(nèi)工作。

 二、核心特性

作為 FD2203 的理想替代型號(hào)，JSM2203STR 在關(guān)鍵性能指標(biāo)上全面覆蓋需求，確保替換后電路無需大幅調(diào)整即可穩(wěn)定運(yùn)行：

• 高壓驅(qū)動(dòng)能力：浮地通道最高工作電壓達(dá) 250V，與 FD2203 的高壓驅(qū)動(dòng)需求完美匹配，可直接驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET。

• 寬電壓兼容：邏輯輸入電平兼容 3.3V、5V 和 15V CMOS/LSTTL 信號(hào)，適配主流主控 IC 的 PWM 輸出，無需額外電平轉(zhuǎn)換電路。

• 強(qiáng)大輸出能力：輸出級(jí)拉電流 / 灌電流均達(dá) 4A，能快速為 MOSFET 柵極充放電，降低開關(guān)損耗，提升電路效率。

• 可靠保護(hù)機(jī)制：內(nèi)置防直通死區(qū)邏輯（死區(qū)時(shí)間 250ns），避免高低側(cè)輸出重疊導(dǎo)致的短路風(fēng)險(xiǎn)，與 FD2203 的直通保護(hù)功能一致且參數(shù)穩(wěn)定

三、引腳功能描述

四、關(guān)鍵電氣規(guī)格

4.1極限工作范圍（TA=25℃，以 VSS 為參考）

4.2 推薦工作范圍(TA=25°C)

4.3 電氣特性(TA=25°C，VCC=VB=15V，CL=1nF)

五、應(yīng)用場景全覆蓋，設(shè)計(jì)更靈活

JSM2203STR 繼承了 FD2203 的廣泛適用性，同時(shí)憑借優(yōu)化的特性拓展了更多應(yīng)用可能：

• 電機(jī)控制領(lǐng)域：適配伺服電機(jī)、無刷電機(jī)等驅(qū)動(dòng)場景，精準(zhǔn)的死區(qū)控制和高效驅(qū)動(dòng)能力提升電機(jī)運(yùn)行平穩(wěn)性。

• 電源轉(zhuǎn)換場景：在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、通用逆變器中，高電壓兼容和低損耗特性助力電源效率提升。

• 新能源設(shè)備：充電樁等高壓設(shè)備中，250V 高壓耐受和可靠保護(hù)功能保障功率變換安全。

設(shè)計(jì)支持完善，替換無縫銜接

為方便工程師快速替換升級(jí)，JSM2203STR 提供了詳盡的設(shè)計(jì)指南：

• 封裝兼容：采用 SOP-8 封裝，與 FD2203 封裝尺寸一致，PCB 布局無需重新設(shè)計(jì)。

• PCB 布局優(yōu)化：明確靠近芯片放置濾波電容、減小寄生電感、優(yōu)化散熱焊盤連接等關(guān)鍵布局要點(diǎn)，降低電磁干擾。

  
  

從參數(shù)兼容到性能升級(jí)，從封裝匹配到設(shè)計(jì)支持，JSM2203STR 為 FD2203 提供了全方位的替代解決方案。無論是新項(xiàng)目開發(fā)還是舊產(chǎn)品升級(jí)，這款芯片都能以更高的可靠性和靈活性，助力你的功率電子系統(tǒng)高效運(yùn)行！

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