Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布，位于英國(guó)曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線(xiàn)將立即擴(kuò)大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下，Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產(chǎn)能，包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產(chǎn)設(shè)備，這對(duì)買(mǎi)方來(lái)講一個(gè)好消息。新型MOSFET的性能也令設(shè)計(jì)人員感到興奮。這些MOSFET非常適合各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用，也可以替代其他供應(yīng)商的產(chǎn)品。”

NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on)，前一代100 V器件為7 m?，而新器件只有4.3 m?，效率大大提高。對(duì)于100 V器件，NextPower技術(shù)還提供44 nC的極低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干擾。總體而言，100 V器件的Qrr品質(zhì)因數(shù)平均比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類(lèi)產(chǎn)品低61%。

新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝。器件廣泛適用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用，包括AC/DC、DC/DC和電機(jī)控制等。