臺積電棄購4億ASML光刻機 轉(zhuǎn)用低成本方案攻堅2納米

日前據(jù)臺媒報道，臺積電在面對技術(shù)節(jié)點進一步微縮至1.4納米（A14）及1納米（A10）面臨新制造瓶頸，并決定放棄采購單價高達(dá)4億美元的ASML高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機。

理論上，采購荷蘭ASML公司尖端的High-NA EUV光刻機是解決這一技術(shù)難題的直接方案。然而，最新報道指出，臺積電并未選擇這一路徑，而是決定采用“光掩模護膜”技術(shù)作為替代方案，以推進其2納米等先進制程的研發(fā)與生產(chǎn)。

臺積電的這一決策主要基于成本考量。一臺High-NA EUV光刻機的售價高達(dá)4億美元，對于公司而言是一筆巨大的資本開支。臺積電認(rèn)為，該設(shè)備目前帶來的價值與其高昂的價格并不匹配。因此，公司選擇了一條成本更低的路徑，即在現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機上，通過引入光掩模護膜，保護光掩模在光刻過程中免受灰塵等微粒污染，從而實現(xiàn)更精密的芯片制造。

盡管光掩模護膜方案能夠規(guī)避巨額的設(shè)備采購費用，但它也帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)。使用標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機生產(chǎn)1.4納米和1納米級別的芯片，需要進行更多次曝光才能達(dá)到所需精度。這意味著光掩模的使用頻率會大幅增加，不僅拖慢生產(chǎn)節(jié)奏，還可能對芯片良率構(gòu)成潛在風(fēng)險。臺積電需要通過大量的“試錯”來優(yōu)化生產(chǎn)的可靠性，這無疑是一場技術(shù)上的攻堅戰(zhàn)。

此外，臺積電拒絕采購High-NA EUV光刻機的另一個原因可能在于其產(chǎn)能的限制。據(jù)了解，ASML每年僅能生產(chǎn)五到六臺此類設(shè)備。對于需要采購多達(dá)30臺標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機以滿足蘋果等大客戶龐大需求的臺積電而言，將巨額資金投入到少數(shù)幾臺設(shè)備上，并不符合其長期產(chǎn)能規(guī)劃。