閃迪：NAND閃存將于明年進(jìn)入超級(jí)周期

隨著人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心的擴(kuò)展，NAND產(chǎn)品在AI內(nèi)存市場(chǎng)的重要性正迅速增長(zhǎng)。盡管與DRAM相比，AI帶來(lái)的益處曾較為有限，但企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（eSSD）能夠快速處理和存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)，使得NAND價(jià)格和銷售額進(jìn)入上升軌道。

行業(yè)消息人士于透露，SanDisk（閃迪）公司首席執(zhí)行官David Goeckeler在公司最近的三季度財(cái)報(bào)中表示：“明年將是數(shù)據(jù)中心NAND需求首次超過(guò)移動(dòng)領(lǐng)域的第一年。”他補(bǔ)充道：“NAND的需求正超過(guò)供應(yīng)，這一趨勢(shì)將持續(xù)到明年年底之后。”

其他主要NAND供應(yīng)商也對(duì)市場(chǎng)做出了類似評(píng)估。三星電子在上個(gè)月的財(cái)報(bào)中談及NAND市場(chǎng)狀況時(shí)表示：“即使考慮到我們明年生產(chǎn)能力的擴(kuò)張，客戶需求仍將超過(guò)供應(yīng)，導(dǎo)致供需之間存在顯著缺口。”SK海力士也表示，其明年的NAND產(chǎn)量已經(jīng)“全部售罄”，并補(bǔ)充道：“一些供應(yīng)商現(xiàn)在正尋求簽署長(zhǎng)期供應(yīng)合同。”

NAND供需之間的不平衡導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格不斷上漲。用于存儲(chǔ)卡和U盤的128Gb MLC NAND閃存固定交易價(jià)格在9月上漲了10.6%，10月進(jìn)一步上漲14.9%，創(chuàng)下十年來(lái)的最大漲幅。據(jù)報(bào)道，三星電子和閃迪最近決定將NAND供應(yīng)價(jià)格提高10%。

此外，一種被稱為“HBF”的下一代存儲(chǔ)技術(shù)也備受關(guān)注。該產(chǎn)品通過(guò)類似高帶寬內(nèi)存（HBM）的方式堆疊NAND芯片，旨在保持HBM的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)利用NAND的特性來(lái)解決HBM的容量限制問(wèn)題。SK海力士和閃迪已開(kāi)始聯(lián)合開(kāi)發(fā)HBF，并計(jì)劃于2027年開(kāi)始生產(chǎn)。（校對(duì)/趙月）