MOS管失效機(jī)理與防護(hù)設(shè)計(jì)：從案例分析到工程實(shí)踐

2025-11-18 來源：作者：廣東合科泰實(shí)業(yè)有限公司

600

關(guān)鍵詞： MOS管失效失效原因失效規(guī)避合科泰電路設(shè)計(jì)

工程師在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)或負(fù)載開關(guān)電路時(shí)，最常遇到的突發(fā)故障可能是MOS管的突然失效。沒有明顯的前期征兆，卻讓整個(gè)電路停擺，甚至影響產(chǎn)品批量良率。近期，我們的FAE團(tuán)隊(duì)協(xié)助客戶解決了一起SOT-23封裝的AO3400型號(hào)MOS管擊穿失效的案例，過程中梳理出MOS管最常見的失效原因，以及如何從原理層面規(guī)避這些問題。

一、典型案例：AO3400為何會(huì)燒？

客戶將AO3400用于便攜式電源的開關(guān)電路，使用后發(fā)現(xiàn)電性不良異常。樣品寄回后，F(xiàn)AE綜合分析，確認(rèn)提供的樣品為使用后拆品，檢查外觀以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)未發(fā)現(xiàn)明顯異常，電性測(cè)試使用后擊穿失效，開蓋腐球分析發(fā)現(xiàn)內(nèi)部芯片有燒傷異常，造成 MOS 管產(chǎn)品失效，應(yīng)是客戶端在使用測(cè)試中過流異常超出元件承受范圍，導(dǎo)致 MOS 管內(nèi)部芯片燒傷損壞，使 MOS 管性能失效,最終FAE建議客戶檢査應(yīng)用中是否有過流或者漏電異常。

通過失效分析還原了失效過程,失效器件的漏源極電壓超過了它能承受的雪崩擊穿閾值，導(dǎo)致內(nèi)部載流子瞬間激增，漏極電流暴增至額定值的10倍以上；芯片結(jié)溫在幾微秒內(nèi)升至硅材料的臨界溫度200℃，最終因熱失控?zé)龤А?/span>

二、MOS管失效的四類底層原因

MOS管的失效從來不是隨機(jī)事件，而是其工作狀態(tài)超出了自身的特性邊界。結(jié)合案例與過往經(jīng)驗(yàn)，總結(jié)出四類最常見的失效原因，每一類都與MOS管的電氣原理直接相關(guān)。

雪崩失效：電壓超過承受極限的連鎖反應(yīng)

當(dāng)漏源極電壓超過這層PN結(jié)的雪崩擊穿閾值時(shí)，PN結(jié)會(huì)被沖開。此時(shí)，大量載流子會(huì)瞬間產(chǎn)生，漏極電流急劇增加；如果缺乏過流保護(hù)，功率損耗會(huì)在極短時(shí)間內(nèi)飆升，最終因熱失控?zé)龤А＿@種失效的核心是電壓超過了MOS管的耐壓極限，常見于電機(jī)啟動(dòng)、電源開關(guān)等有瞬時(shí)過壓的場(chǎng)景。

SOA失效：電壓加電流超出安全邊界

MOS管的安全工作區(qū)SOA是由電壓、電流和功率共同界定的。比如如果電機(jī)啟動(dòng)時(shí)同時(shí)出現(xiàn)高電壓和大電流，就會(huì)讓它的功耗超過散熱能力。溫度持續(xù)上升，當(dāng)結(jié)溫超過150℃時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)熱擊穿。這種失效的本質(zhì)是功耗超過了MOS管的散熱極限，常見于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、大功率負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。

柵極電壓失效：柵氧化層的雙重風(fēng)險(xiǎn)

MOS管的柵極是一層極薄的氧化層。電壓太高會(huì)擊穿，電壓太低又無法讓MOS管正常導(dǎo)通。這種失效的關(guān)鍵是柵極電壓偏離了安全范圍，常見于驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)不當(dāng)、有電壓波動(dòng)的場(chǎng)景。

靜電失效：潛在風(fēng)險(xiǎn)的批量破壞

MOS管極高的柵極輸入阻抗讓它對(duì)靜電異常敏感，人體的靜電或設(shè)備的靜電放電，會(huì)像閃電一樣瞬間擊穿柵氧化層。這種失效沒有明顯的外觀痕跡，卻會(huì)讓MOS管批量失效，常見于生產(chǎn)、運(yùn)輸或安裝過程中靜電防護(hù)不到位的場(chǎng)景。

三、如何從原理層面規(guī)避失效？

MOS管的可靠性，本質(zhì)是讓它工作在特性邊界內(nèi)。工程師可以通過以下思路提升可靠性：

避免過壓：通過仿真軟件模擬電路中的VDS波形，確保不超過BVDSS；在電路中增加TVS管、RC吸收網(wǎng)絡(luò)等過壓保護(hù)。
控制功耗：確保MOS管的工作點(diǎn)在安全工作區(qū)內(nèi)，避免電壓和電流同時(shí)達(dá)到高峰；通過增加散熱片、降低PWM占空比等方式提升散熱能力。
穩(wěn)定柵壓：在驅(qū)動(dòng)電路中增加鉗位二極管，抑制尖峰電壓；確保柵極電壓在閾值電壓與最大額定電壓之間。
靜電防護(hù)：生產(chǎn)和安裝時(shí)戴防靜電手環(huán)、使用導(dǎo)電包裝；避免用手直接接觸MOS管引腳。

作為MOS管的設(shè)計(jì)者，我們會(huì)在器件層面優(yōu)化這些風(fēng)險(xiǎn)。比如通過摻雜工藝提升BVDSS，用厚柵氧化層增強(qiáng)抗靜電能力，在數(shù)據(jù)手冊(cè)中明確標(biāo)注雪崩能量和安全工作區(qū)等參數(shù)，幫助工程師更準(zhǔn)確地評(píng)估場(chǎng)景。但更核心的是，工程師需要理解MOS管的特性，從設(shè)計(jì)源頭規(guī)避失效。

MOS管的失效從來不是不可控的，它是原理的必然結(jié)果。通過理解這些底層邏輯，工程師可以把MOS管從易失效的器件變成穩(wěn)定的電路核心。我們分享這些經(jīng)驗(yàn)，也是希望能和工程師一起，用知識(shí)讓電路設(shè)計(jì)更可靠。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。專注提供高性價(jià)比的元器件供應(yīng)與定制服務(wù)，滿足企業(yè)研發(fā)需求。

產(chǎn)品供應(yīng)品類：全面覆蓋分立器件及貼片電阻等被動(dòng)元件，主要有MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復(fù)、橋堆、二極管、三極管、電阻、電容。
兩大智能生產(chǎn)制造中心：華南和西南制造中心（惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡）配備共3000多臺(tái)先進(jìn)設(shè)備及檢測(cè)儀器；2024年新增3家半導(dǎo)體材料子公司，從源頭把控產(chǎn)能與交付效率。
提供封裝測(cè)試OEM代工：支持樣品定制與小批量試產(chǎn)，配合100多項(xiàng)專利技術(shù)與ISO9001、IATF16949認(rèn)證體系，讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”為核心，為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。

（附：樣品申請(qǐng)/方案咨詢/小批量采購(gòu)↓）

WPS拼圖0725.png