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              韓國HBM產業(yè)隱憂:混合鍵合核心技術受制于人

              2025-11-28 來源:電子工程專輯
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              關鍵詞: 韓國HBM 混合鍵合技術 核心專利 專利風險 專利分布

              作為存儲大國,韓國缺乏HBM混合鍵合的核心專利,似乎是一個“有違認知”的事實。

              據(jù)韓媒TheElec報道,一項由韓國知識產權促進院(KIPRO)發(fā)布的研究指出,韓國在HBM最關鍵的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)技術領域,嚴重缺乏核心專利,存在潛在的知識產權風險。

              HBM的重要性源于其在AI時代的不可替代性。這種超高帶寬使得大模型訓練、實時推理和復雜科學計算成為可能。而實現(xiàn)HBM超高性能的核心之一,正是“混合鍵合”這一先進封裝技術。

              KIPRO隸屬于韓國知識產權部。據(jù)KIPRO研究員金仁洙介紹,盡管韓國企業(yè)在HBM的量產工藝、良率控制和產品交付方面具備全球領先能力,但在支撐混合鍵合的原材料、設備以及基礎專利方面,卻高度依賴海外。

              KIPRO利用人工智能分析了2003至2022年間在美、日、歐、中、韓五地公開的逾萬項相關專利后發(fā)現(xiàn):美國公司Adeia擁有最具市場價值的核心專利組合,擁有從Ziptronix收購的與直接鍵合互連和低溫直接鍵合技術相關的核心專利。

              金仁洙表示,Adeia通過其關聯(lián)公司(如Invensas和Tessera)已獲得一系列混合鍵合專利,形成了一道嚴密的“專利護城河”。

              依據(jù)K - PEG評級體系,臺積電擁有的A3級及以上專利數(shù)量在眾多企業(yè)中位居首位,而且這些專利均屬于高質量專利。三星則排在第二位,美光和IBM依次位列其后。值得一提的是,臺積電的片上系統(tǒng)(SoIC)技術極具價值。

              在這一領域,長江存儲也憑借Xtacking架構,在3D NAND領域積累的鍵合經驗正快速向HBM延伸。

              相比之下,韓國雖擁有全球第二多的HBM相關專利總量,但KIPRO評估其“質量和影響力低于平均水平”。

              金仁洙指出,這反映出韓國企業(yè)長期聚焦于應用端和制造端創(chuàng)新,而在材料科學、設備開發(fā)及基礎物理機制等上游環(huán)節(jié)投入不足,導致核心知識產權“空心化”。更值得警惕的是,這些關鍵專利已在韓國、美國、日本、歐洲和中國注冊。這意味著韓國企業(yè)隨時可能卷入專利訴訟。

              特別是一旦混合鍵合技術在2026年進入大規(guī)模商業(yè)化階段,掌握專利的公司完全可能發(fā)起侵權訴訟,要求高額許可費或禁令。

              金仁洙預測,當前企業(yè)或許還能通過非公開談判達成許可協(xié)議,但隨著市場競爭加劇,法律沖突幾乎不可避免。


              責編:Jimmy.zhang