SK 海力士攜手東進(jìn)半導(dǎo)體，開展EUV光刻膠研發(fā)

據(jù)報(bào)道，SK 海力士攜手東進(jìn)半導(dǎo)體，開展高性能 EUV 光刻膠的聯(lián)合研發(fā)，將替代此前由日本 JSR、東京應(yīng)化工業(yè)（TOK）等企業(yè)供應(yīng)的 EUV 光刻膠，同時(shí)要開發(fā)出性能超越現(xiàn)有產(chǎn)品的新型材料。

2023 年，SK 海力士曾通過旗下子公司 SK Materials Performance 實(shí)現(xiàn)了 EUV 光刻膠的國(guó)產(chǎn)化，但彼時(shí)量產(chǎn)的產(chǎn)品為低規(guī)格型號(hào)。用于核心半導(dǎo)體層的高性能 EUV 光刻膠，長(zhǎng)期以來(lái) 100% 依賴日本進(jìn)口。

SK 海力士推進(jìn) EUV 光刻膠研發(fā)，一方面是為了最大化利用單臺(tái)價(jià)值 2000 億韓元的 EUV 光刻設(shè)備，另一方面是為了應(yīng)對(duì) DRAM 芯片中 EUV 光刻層需求的快速增長(zhǎng)。

隨著 DRAM 芯片中 EUV 工藝的應(yīng)用占比持續(xù)提升，光刻膠的研發(fā)必要性愈發(fā)凸顯。不同世代 DRAM 的 EUV 光刻層數(shù)量呈遞增趨勢(shì)：10 納米級(jí) 4 代（1a）為 1 層、5 代（1b）為 3 層、6 代（1c）為 5 層、7 代（1d）則達(dá) 7 層，10 納米以下制程產(chǎn)品的 EUV 光刻層數(shù)量預(yù)計(jì)還將進(jìn)一步增加。