麒麟9030突圍之路：采用中芯國際改進版7納米工藝

近日，加拿大研究機構(gòu)TechInsights發(fā)布報告稱，華為最新旗艦手機Mate 80 Pro Max所搭載的麒麟9030處理器，采用中芯國際（SMIC）改進版7納米工藝——“N+3”制程制造。

自2019年被美國列入“實體清單”以來，華為無法再通過臺積電等國際代工廠生產(chǎn)先進芯片，其高端手機業(yè)務一度陷入停滯。

然而，從2023年Mate 60系列搭載的麒麟9000s（基于中芯國際N+2工藝），到如今Mate 80系列的麒麟9030（N+3工藝），華為與中芯國際正以“小步快跑”的方式，逐步逼近國際主流水平。

TechInsights評價稱，麒麟9030代表了“中國迄今最為先進的本土芯片制造技術”，是一次“漸進但實質(zhì)性的工藝突破”。

華為官方披露，Mate 80 Pro Max相較前代Mate 70 Pro+（搭載麒麟9020）整體性能提升約42%，接近翻倍。這一躍升遠超同制程節(jié)點通常所能帶來的優(yōu)化幅度，引發(fā)業(yè)界對中芯國際工藝真實水平的重新評估。

TechInsights對麒麟9030 Pro芯片進行了結(jié)構(gòu)和尺寸分析，揭示了一個重要信息。

報告指出：”分析發(fā)現(xiàn)，麒麟9030采用的是中芯國際的‘N+3’工藝，其先進程度高于麒麟9020。這標志著一次重大的代際跨越。此前，麒麟9020及更早的芯片采用的是中芯國際‘N+2’工藝，即7納米級制程節(jié)點。“

盡管仍無法與臺積電或三星的5納米甚至3納米工藝在晶體管密度、能效比上直接對標，但在設備受限、無法使用EUV光刻機的極端條件下，中芯國際通過多重曝光、工藝微調(diào)和設計協(xié)同優(yōu)化等手段，實現(xiàn)了令人矚目的工程突破。

受限于美國出口管制，中芯國際無法采購阿斯麥（ASML）的極紫外（EUV）光刻機及應用材料（Applied Materials）等公司的尖端沉積與刻蝕設備。這導致其先進制程良品率偏低、制造成本高昂，產(chǎn)能也難以大規(guī)模擴張。

TechInsights指出，當前中芯國際的7納米級工藝在量產(chǎn)效率和經(jīng)濟性上，尚難與國際巨頭競爭。但對華為而言，這已足夠支撐其高端產(chǎn)品線的戰(zhàn)略回歸——在“可用”與“自主”之間，優(yōu)先確保供應鏈安全。

值得一提的是，TechInsights因頻繁披露中國半導體進展，已于2024年10月被中國商務部列入“不可靠實體清單”，理由是其行為“嚴重損害中國國家主權(quán)、安全和發(fā)展利益”。

責編：Jimmy.zhang